[發明專利]失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備在審
| 申請號： | 202110226034.2 | 申請日： | 2021-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN112927750A | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發明（設計）人： | 余玉 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 失效 單元測試 方法 裝置 存儲 介質 電子設備 | ||
本公開是關于一種失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備，涉及集成電路技術領域。該失效單元測試方法包括：在系統開機后，向所述DRAM中寫入測試數據；停止向所述DRAM發送刷新指令，并等待預設時間；讀取所述DRAM中的數據，并將所述讀取的數據與寫入的所述測試數據進行比較，根據所述讀取的數據與寫入的所述測試數據比較的結果，確定所述DRAM中發生翻轉的數據；根據所述發生翻轉的數據所在的存儲單元確定所述DRAM中的失效單元。本公開提供一種在應用端執行失效單元測試的方法。
技術領域
本公開涉及集成電路技術領域，具體而言，涉及一種失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備。
背景技術
動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件，以存儲在存儲單元電容器中的電荷的形式對數據進行存儲。由于存儲在存儲單元電容器中的電荷隨著時間的推移而泄漏，所以DRAM具有有限的數據保留特性。
數據保留時間是衡量數據保留特性的重要指標，是數據保留在DRAM單元中的持續時間。在DRAM出廠前的最終良率測試中，會有關于數據保留時間劣化的測試。
然而，對于應用端的系統級芯片而言，如果系統運行于失效單元上，會導致系統崩潰。
需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于提供一種失效單元測試方法及裝置、存儲介質、電子設備，以提供一種在應用端執行失效單元測試的方法。
本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本發明的實踐而習得。
根據本公開的第一方面，提供一種失效單元測試方法，應用于動態隨機存取存儲器DRAM，所述方法包括：
在系統開機后，向所述DRAM中寫入測試數據；
停止向所述DRAM發送刷新指令，并等待預設時間；
讀取所述DRAM中的數據，并將所述讀取的數據與寫入的所述測試數據進行比較，根據所述讀取的數據與寫入的所述測試數據比較的結果，確定所述DRAM中發生翻轉的數據；
根據所述發生翻轉的數據所在的存儲單元確定所述DRAM中的失效單元。
在本公開的一種示例性實施例中，在所述讀取的數據與寫入的所述測試數據不同時，則所述DRAM中當前存儲單元的數據發生翻轉。
在本公開的一種示例性實施例中，所述數據發生翻轉包括：寫入的所述測試數據為1，所述讀取的數據為0的情況；
或者，寫入的所述測試數據為0，所述讀取的數據為1的情況。
在本公開的一種示例性實施例中，所述方法還包括：
根據所述讀取的數據與寫入的所述測試數據比較的結果，確定所述DRAM中存儲單元的數據保留時間。
在本公開的一種示例性實施例中，在所述讀取的數據與寫入的所述測試數據不同時，所述DRAM中當前存儲單元的數據保留時間小于所述預設時間。
在本公開的一種示例性實施例中，在所述讀取的數據與寫入的所述測試數據相同時，所述DRAM中當前存儲單元的數據保留時間大于或等于所述預設時間。
在本公開的一種示例性實施例中，所述預設時間為第一子預設時間或第二子預設時間，所述第一子預設時間小于所述第二子預設時間。
在本公開的一種示例性實施例中，在等待所述第一子預設時間后，如果所述讀取的數據與寫入的所述測試數據不同，則所述DRAM中存儲單元的數據保留時間小于所述第一子預設時間；
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