[發(fā)明專利]基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110224626.0 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113345830A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松浦伸;加藤健一 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支承 等離子體 處理 系統(tǒng) 環(huán)狀 部件 安裝 方法 | ||
本發(fā)明提供基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法。基片支承臺包括:載置基片的基片載置面;環(huán)狀部件載置面,其載置以包圍保持于基片載置面的基片的方式配置的環(huán)狀部件;三個以上的升降部件,其構(gòu)成為能夠從環(huán)狀部件載置面伸出,并以可調(diào)節(jié)從環(huán)狀部件載置面起的伸出量的方式升降;和使升降部件升降的升降機(jī)構(gòu),在環(huán)狀部件的底面的與各個升降部件對應(yīng)的位置,設(shè)有由向上方凹陷的凹面形成的凹部,俯視時,凹部比向環(huán)狀部件載置面的上方輸送環(huán)狀部件的輸送精度大,且比升降部件的上端部大,升降部件的上端部形成為隨著去往上方而逐漸變細(xì)的半球狀,形成凹部的凹面與升降部件的上端部的形成半球狀的凸面相比曲率小。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基片支承臺、等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀部件的安裝方法。
背景技術(shù)
專利文獻(xiàn)1中公開有一種基片處理裝置,其在處理室內(nèi)配置基片,以包圍該基片的周圍的方式配置聚焦環(huán),實施對基片的等離子體處理。該基片處理裝置包括:載置臺,其具有包含載置基片的基片載置面和載置聚焦環(huán)的聚焦環(huán)載置面的基座;以及多個定位銷。定位銷由通過加熱而沿徑向膨脹的材料構(gòu)成為針狀,在聚焦環(huán)以從其下表面伸出的方式安裝而插入形成于基座的聚焦環(huán)載置面的定位孔,通過加熱在徑向上膨脹并嵌合,由此對聚焦環(huán)進(jìn)行定位。此外,專利文獻(xiàn)1中公開的基片處理裝置包括升降銷和輸送臂。升降銷以能夠伸出和沒入于聚焦環(huán)載置面的方式設(shè)置在載置臺,將聚焦環(huán)連同定位銷一起抬升,使之從聚焦環(huán)載置面脫離。輸送臂設(shè)置于處理室的外側(cè),經(jīng)由設(shè)置于處理室的送入送出口,在其與升降銷之間在聚焦環(huán)安裝有定位銷的狀態(tài)下對聚焦環(huán)進(jìn)行更換。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2011-54933號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明的技術(shù)為,對環(huán)狀部件進(jìn)行定位以將其恰當(dāng)?shù)剌d置在基片支承臺的載置環(huán)狀部件的載置面上。
用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
本發(fā)明一方式為基片支承臺,其包括:載置基片的基片載置面;環(huán)狀部件載置面,其載置以包圍保持于上述基片載置面的基片的方式配置的環(huán)狀部件;三個以上的升降部件,其構(gòu)成為能夠從上述環(huán)狀部件載置面伸出,并以可調(diào)節(jié)從上述環(huán)狀部件載置面起的伸出量的方式升降;和使上述升降部件升降的升降機(jī)構(gòu),在上述環(huán)狀部件的底面的與各個上述升降部件對應(yīng)的位置,設(shè)有由向上方凹陷的凹面形成的凹部,俯視時,上述凹部比向上述環(huán)狀部件載置面的上方輸送上述環(huán)狀部件的輸送精度大,且比上述升降部件的上端部大,上述升降部件的上端部形成為隨著去往上方而逐漸變細(xì)的半球狀,形成上述凹部的上述凹面與上述升降部件的上端部的形成上述半球狀的凸面相比曲率小。
發(fā)明效果
依照本發(fā)明,能夠?qū)Νh(huán)狀部件進(jìn)行定位以將其恰當(dāng)?shù)剌d置在基片支承臺的載置環(huán)狀部件的載置面上。
附圖說明
圖1是表示第一實施方式的等離子體處理系統(tǒng)的概要結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖2是表示圖1的處理模塊的概要結(jié)構(gòu)的縱截面圖。
圖3是圖2的局部放大圖。
圖4是晶片支承臺的周向上的與圖2不同的部分的局部截面圖。
圖5是示意性地表示邊緣環(huán)的安裝處理中的處理模塊內(nèi)的狀態(tài)的圖。
圖6是示意性地表示邊緣環(huán)的安裝處理中的處理模塊內(nèi)的狀態(tài)的圖。
圖7是示意性地表示邊緣環(huán)的安裝處理中的處理模塊內(nèi)的狀態(tài)的圖。
圖8是用于說明升降銷的另一例的圖。
圖9是用于說明靜電吸盤的另一例的圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





