[發明專利]基片支承臺、等離子體處理系統和環狀部件的安裝方法在審
| 申請號: | 202110224626.0 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113345830A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 松浦伸;加藤健一 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支承 等離子體 處理 系統 環狀 部件 安裝 方法 | ||
1.一種基片支承臺,其特征在于,包括:
載置基片的基片載置面;
環狀部件載置面,其載置以包圍保持于所述基片載置面的基片的方式配置的環狀部件;
三個以上的升降部件,其構成為能夠從所述環狀部件載置面伸出,并以可調節從所述環狀部件載置面起的伸出量的方式升降;和
使所述升降部件升降的升降機構,
在所述環狀部件的底面的與各個所述升降部件對應的位置,設有由向上方凹陷的凹面形成的凹部,
俯視時,所述凹部比向所述環狀部件載置面的上方輸送所述環狀部件的輸送精度大,且比所述升降部件的上端部大,
所述升降部件的上端部形成為隨著去往上方而逐漸變細的半球狀,
形成所述凹部的所述凹面與所述升降部件的上端部的形成所述半球狀的凸面相比曲率小。
2.如權利要求1所述的基片支承臺,其特征在于:
所述升降機構按每個所述升降部件設置,以所述升降部件在水平方向上可移動的方式支承所述升降部件。
3.如權利要求1或2所述的基片支承臺,其特征在于,包括:
貫通孔,其以從所述環狀部件載置面向下方延伸的方式形成,供所述升降部件插通;和
引導件,其設置于所述貫通孔的內部,將所述升降部件的移動方向規定為上下方向。
4.如權利要求1~3中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
包括用于通過靜電力吸附保持所述環狀部件的電極。
5.如權利要求1~4中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述升降部件具有比所述上端部粗的柱狀部和將所述上端部與所述柱狀部連結的連結部,
所述連結部形成為隨著去往上方而逐漸變細的錐臺狀。
6.如權利要求1~5中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述升降部件沿所述基片載置面的周向彼此隔開間隔地設置有三個以上。
7.如權利要求1~6中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述環狀部件是以與載置于所述基片載置面的基片相鄰的方式配置的邊緣環。
8.如權利要求1~6中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述環狀部件是覆蓋邊緣環的外側面的覆蓋環,其中所述邊緣環以與載置于所述基片載置面的基片相鄰的方式配置。
9.如權利要求1~6中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述環狀部件是以與載置于所述基片載置面的基片相鄰的方式配置的邊緣環和覆蓋所述邊緣環的外側面的覆蓋環這兩者,
在所述邊緣環和所述覆蓋環分別形成有所述凹部。
10.如權利要求1~6中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述環狀部件是支承以與載置于所述基片載置面的基片相鄰的方式配置的邊緣環的、覆蓋所述邊緣環的外側面的覆蓋環,
在所述覆蓋環的底面形成有所述凹部。
11.如權利要求1~6中任一項所述的基片支承臺,其特征在于:
所述環狀部件是以與載置于所述基片載置面的基片相鄰的方式配置的邊緣環和覆蓋所述邊緣環的外側面的覆蓋環這兩者,
在所述邊緣環和所述覆蓋環中的所述邊緣環的底面形成所述凹部,
所述覆蓋環具有供所述升降部件插通的、到達所述邊緣環的所述凹部的貫通孔,
所述升降部件在上端部具有與所述邊緣環的所述凹部卡合而支承所述邊緣環的邊緣環支承部,在所述邊緣環支承部的下方具有支承所述覆蓋環的覆蓋環支承部。
12.如權利要求11所述的基片支承臺,其特征在于:
所述覆蓋環支承部形成為能夠將所述覆蓋環相對于所述升降部件定位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





