[發明專利]半導體結構及半導體結構制作方法

有效

• 申請號: 202110224400.0
• 申請日: 2021-03-01
• 公開（公告）號: CN113035835B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 王蒙蒙;黃信斌
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;黃健

本發明實施例屬于半導體制作技術領域，涉及一種半導體結構及半導體結構制作方法。該半導體結構的基底上設置有芯片結構和密封結構，密封結構包括金屬墻體和位于金屬墻體頂部的阻擋墻體，金屬墻體和阻擋墻體均環繞芯片結構設置。在晶圓切割的過程中，阻擋墻體可以阻止切割產生的裂紋在金屬墻體背離基底一側的層間介質層內向芯片結構延伸，進而避免芯片結構失效。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種半導體結構及半導體結構制作方法。

背景技術

制作在晶圓上的芯片需要切割封裝后才能運用在電子設備中，在晶圓的切割過程中容易產生裂紋，并且裂紋容易向芯片內部延伸，容易造成芯片失效。

發明內容

本發明實施例提供一種半導體結構及半導體結構制作方法，以解決在晶圓的切割程中產生的裂紋向芯片結構延伸，容易造成芯片結構失效的技術問題。

本發明實施例提供了一種半導體結構包括：基底以及位于所述基底上的芯片結構和密封結構；所述密封結構包括金屬墻體和位于所述金屬墻體頂部的阻擋墻體；其中，所述金屬墻體和所述阻擋墻體均環繞所述芯片結構設置。

可選的，多個所述阻擋墻體環繞所述芯片結構間隔的設置。

可選的，所述多個阻擋墻體均位于所述金屬墻體的頂部。

可選的，還包括：密封層，位于所述密封結構背離所述基底的一側。

可選的，所述阻擋墻體與所述密封層為一體結構。

可選的，所述阻擋墻體的材質為絕緣材料。

可選的，所述阻擋墻體覆蓋所述金屬墻體的部分頂面。

可選的，所述金屬墻體包括沿垂直于所述基底方向依次層疊設置的多個子墻體，相鄰所述子墻體在所述基底上的投影至少部分重合。

可選的，每一所述子墻體與所述芯片結構中的金屬層同層設置。

可選的，位于所述密封結構之間的切割道，所述阻擋墻體上方的密封層頂表面高于所述切割道上方的密封層頂表面。

本發明實施例還提供一種半導體結構制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成芯片結構和密封結構，

所述密封結構包括金屬墻體和位于所述金屬墻體頂部的阻擋墻體；

其中，所述金屬墻體和所述阻擋墻體均環繞所述芯片結構設置。

可選的，所述在所述基底上形成芯片結構和密封結構的步驟，包括：

在所述基底上依次形成若干子層間介質層、頂層介質層以及頂層金屬層，其中，若干子墻體分別位于所述子層間介質層和頂層介質層中；

去除部分所述頂層金屬層以形成與所述子墻體接合的金屬塊；

在所述金屬塊上形成覆蓋層；

在所述覆蓋層上形成具有開口的光刻膠層，所述開口位于所述子墻體上方；

以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述覆蓋層，以形成暴露所述子墻體上方的所述金屬塊的阻擋槽；

在所述阻擋槽中填充阻擋材料形成所述阻擋墻體。

可選的，還包括：所述覆蓋層上還形成有密封材料，部分所述密封材料填充在所述阻擋槽內，以形成所述阻擋墻體，部分所述密封材料覆蓋在所述覆蓋層上以形成密封層。

可選的，還包括：位于所述密封結構之間的切割道，所述阻擋墻體上方的密封層頂表面高于所述切割道上方的密封層頂表面。