[發(fā)明專利]半導體結構及半導體結構制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110224400.0 | 申請日： | 2021-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN113035835B | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王蒙蒙;黃信斌 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱穎;黃健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 制作方法 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底上的芯片結構和密封結構；密封層，位于所述密封結構背離所述基底的一側；
所述密封結構包括金屬墻體和位于所述金屬墻體頂部的多個絕緣阻擋墻體；所述阻擋墻體與所述密封層為一體結構；
其中，所述金屬墻體環(huán)繞所述芯片結構設置，多個所述阻擋墻體環(huán)繞所述芯片結構間隔的設置。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述阻擋墻體覆蓋所述金屬墻體的部分頂面。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬墻體包括沿垂直于所述基底方向依次層疊設置的多個子墻體，相鄰所述子墻體在所述基底上的投影至少部分重合。
4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，每一所述子墻體與所述芯片結構中的金屬層同層設置。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
位于所述密封結構之間的切割道，所述阻擋墻體上方的密封層頂表面高于所述切割道上方的密封層頂表面。
6.一種半導體結構制作方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成芯片結構和密封結構，在位于所述密封結構背離所述基底的一側形成密封層；
所述密封結構包括金屬墻體和位于所述金屬墻體頂部的多個絕緣阻擋墻體；所述阻擋墻體與所述密封層為一體結構；
其中，所述金屬墻體環(huán)繞所述芯片結構設置，多個所述阻擋墻體環(huán)繞所述芯片結構間隔的設置。
7.根據權利要求6所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成芯片結構和密封結構的步驟，包括：
在所述基底上依次形成若干子層間介質層、頂層介質層以及頂層金屬層，其中，若干子墻體分別位于所述子層間介質層和頂層介質層中；
去除部分所述頂層金屬層以形成與所述子墻體接合的金屬塊；
在所述金屬塊上形成覆蓋層；
在所述覆蓋層上形成具有開口的光刻膠層，所述開口位于所述子墻體上方；
以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述覆蓋層，以形成暴露所述子墻體上方的所述金屬塊的阻擋槽；
在所述阻擋槽中填充阻擋材料形成所述阻擋墻體。
8.根據權利要求7所述的半導體結構制作方法，其特征在于，還包括：所述覆蓋層上還形成有密封材料，部分所述密封材料填充在所述阻擋槽內，以形成所述阻擋墻體，部分所述密封材料覆蓋在所述覆蓋層上以形成密封層。
9.根據權利要求8所述的半導體結構制作方法，其特征在于，還包括：
位于所述密封結構之間的切割道，所述阻擋墻體上方的密封層頂表面高于所述切割道上方的密封層頂表面。
10.根據權利要求8所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述覆蓋層和所述頂層介質層的材質相同。
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