[發(fā)明專利]基片輸送系統(tǒng)、真空基片輸送模塊和基片輸送方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110224166.1 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113394143A | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 網(wǎng)倉紀彥;北正知 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸送 系統(tǒng) 真空 模塊 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基片輸送系統(tǒng)、真空基片輸送模塊和基片輸送方法。基片輸送系統(tǒng)包括基片處理模塊、大氣基片輸送模塊、第1真空基片輸送模塊、第2真空基片輸送模塊、負載鎖定模塊和真空基片輸送機械臂。第1真空基片輸送模塊與大氣基片輸送模塊和基片處理模塊相鄰地配置,具有第1輸送空間。第2真空基片輸送模塊配置在第1真空基片輸送模塊之上或之下,具有與第1輸送空間連通的第2輸送空間,且具有俯視時比第1真空基片輸送模塊小的外形尺寸。負載鎖定模塊配置在大氣基片輸送模塊與第2真空基片輸送模塊之間。真空基片輸送機械臂配置在第1輸送空間內(nèi)或者第2輸送空間內(nèi),能夠輸送基片。根據(jù)本發(fā)明,能夠削減基片處理系統(tǒng)的設置面積。
技術領域
本發(fā)明的各種側(cè)面和實施方式涉及基片輸送系統(tǒng)、真空基片輸送模塊和基片輸送方法。
背景技術
專利文獻1中記載了具有3個用于載置基片輸送容器的承載器載置臺的半導體制造裝置,該基片輸送容器保存規(guī)定個數(shù)的作為處理對象的晶片。專利文獻1的半導體制造裝置在大氣氣氛下具有輸送晶片的第1輸送室。專利文獻1的半導體制造裝置具有用于將室內(nèi)切換為大氣氣氛和真空氣氛以使晶片待機的、例如左右并排2個的負載鎖定室。專利文獻1的半導體制造裝置包括:在真空氣氛下輸送晶片的第2輸送室;和用于對被送入的晶片實施工藝處理的例如4個處理模塊。此外,專利文獻1中記載了設置于第1輸送室內(nèi)的輸送裝置。專利文獻1的輸送裝置中,基臺構成為借助驅(qū)動機構而能夠沿第1輸送室的長度方向移動且可升降,能夠在對準室與基片輸送容器之間交接晶片。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2015-18875號公報。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明提供能夠削減基片處理系統(tǒng)的設置面積的基片輸送系統(tǒng)、真空基片輸送模塊和基片輸送方法。
用于解決問題的技術手段
本發(fā)明的一側(cè)面為基片輸送系統(tǒng),其包括基片處理模塊、大氣基片輸送模塊、第1真空基片輸送模塊、第2真空基片輸送模塊、負載鎖定模塊和真空基片輸送機械臂。第1真空基片輸送模塊與大氣基片輸送模塊和基片處理模塊相鄰地配置,具有第1輸送空間。第2真空基片輸送模塊配置在第1真空基片輸送模塊之上或之下,具有與第1輸送空間連通的第2輸送空間,且具有俯視時比第1真空基片輸送模塊小的外形尺寸。負載鎖定模塊配置于大氣基片輸送模塊與第2真空基片輸送模塊之間。真空基片輸送機械臂配置在第1輸送空間內(nèi)或者第2輸送空間內(nèi),構成為能夠在第1輸送空間與基片處理模塊之間在第1高度輸送基片。此外,真空基片輸送機械臂構成為能夠在第1輸送空間與第2輸送空間之間輸送基片。此外,真空基片輸送機械臂構成為能夠在第2輸送空間與負載鎖定模塊之間在與第1高度不同的第2高度輸送基片。
發(fā)明效果
依照本發(fā)明的各種側(cè)面和實施方式,能夠削減基片處理系統(tǒng)的設置面積。
附圖說明
圖1是表示一實施方式中的基片處理系統(tǒng)的一個例子的俯視圖。
圖2是表示圖1中的基片處理系統(tǒng)的A-A截面的一個例子的圖。
圖3是表示圖2中的基片處理系統(tǒng)的B-B截面的一個例子的圖
圖4是表示圖2中的處理系統(tǒng)的C-C截面的一個例子的圖。
圖5是表示基片輸送方法的一個例子的流程圖。
圖6是表示輸送基片時的基片處理系統(tǒng)的一個例子的截面圖。
圖7是表示輸送基片時的基片處理系統(tǒng)的一個例子的截面圖。
圖8是表示輸送基片時的基片處理系統(tǒng)的一個例子的截面圖。
圖9是表示輸送基片時的基片處理系統(tǒng)的一個例子的截面圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





