[發明專利]基片輸送系統、真空基片輸送模塊和基片輸送方法在審
| 申請號: | 202110224166.1 | 申請日: | 2021-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN113394143A | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 網倉紀彥;北正知 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸送 系統 真空 模塊 方法 | ||
1.一種基片輸送系統,其特征在于,包括:
基片處理模塊;
大氣基片輸送模塊;
第1真空基片輸送模塊,其與所述大氣基片輸送模塊和所述基片處理模塊相鄰地配置,具有第1輸送空間;
第2真空基片輸送模塊,其配置在所述第1真空基片輸送模塊之上或之下,具有與所述第1輸送空間連通的第2輸送空間,且具有俯視時比所述第1真空基片輸送模塊小的外形尺寸;
配置于所述大氣基片輸送模塊與所述第2真空基片輸送模塊之間的負載鎖定模塊;和
真空基片輸送機械臂,其配置在所述第1輸送空間內或者所述第2輸送空間內,構成為能夠在所述第1輸送空間與所述基片處理模塊之間在第1高度輸送基片,且在所述第1輸送空間與所述第2輸送空間之間輸送基片,并且在所述第2輸送空間與所述負載鎖定模塊之間在與所述第1高度不同的第2高度輸送基片。
2.如權利要求1所述基片輸送系統,其特征在于:
所述第2真空基片輸送模塊配置在所述第1真空基片輸送模塊之下,
所述第1高度大于所述第2高度。
3.如權利要求1或2所述基片輸送系統,其特征在于:
所述真空基片輸送機械臂配置在所述第2輸送空間內。
4.如權利要求1至3中任一項所述基片輸送系統,其特征在于:
還包括大氣基片輸送機械臂,其配置在所述大氣基片輸送模塊內,構成為能夠在所述大氣基片輸送模塊與所述負載鎖定模塊之間輸送基片。
5.如權利要求4所述基片輸送系統,其特征在于:
所述大氣基片輸送機械臂構成為能夠在所述大氣基片輸送模塊與所述負載鎖定模塊之間在所述第2高度輸送基片。
6.一種真空基片輸送模塊,其特征在于,包括:
具有第1輸送空間的第1真空基片輸送模塊;
第2真空基片輸送模塊,其配置在所述第1真空基片輸送模塊之上或之下,具有與所述第1輸送空間連通的第2輸送空間,且具有俯視時比所述第1真空基片輸送模塊小的外形尺寸;和
真空基片輸送機械臂,其配置在所述第1輸送空間內或者所述第2輸送空間內,構成為能夠在所述第1輸送空間與第1外部模塊之間在第1高度輸送基片,且在所述第1輸送空間與所述第2輸送空間之間輸送基片,并且在所述第2輸送空間與第2外部模塊之間在與所述第1高度不同的第2高度輸送基片。
7.一種基片輸送方法,其特征在于,包括:
a)在真空氣氛下,在第1真空基片輸送模塊與基片處理模塊之間,在第1高度輸送基片的步驟;
b)在真空氣氛下,在所述第1真空基片輸送模塊與第2真空基片輸送模塊之間輸送基片的步驟,其中,所述第2真空基片輸送模塊配置于所述第1真空基片輸送模塊之上或之下,具有俯視時比所述第1真空基片輸送模塊小的外形尺寸;
c)在真空氣氛下,在所述第2真空基片輸送模塊與負載鎖定模塊之間,在與所述第1高度不同的第2高度輸送基片的步驟,其中,所述負載鎖定模塊配置在所述第2真空基片輸送模塊與大氣基片輸送模塊之間;和
d)在大氣壓氣氛下,在所述負載鎖定模塊與所述大氣基片輸送模塊之間輸送基片的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





