[發明專利]包括存儲器單元串的存儲器陣列和用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 202110220250.6
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113345907A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11565
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

本申請涉及包括存儲器單元串的存儲器陣列及用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法。所述方法包括形成各自包括豎直堆疊的橫向間隔開的存儲器塊，所述豎直堆疊包括交替的絕緣層和導電層。存儲器單元的溝道材料串延伸穿過所述絕緣層和所述導電層。所述導電層沿著所述存儲器塊的側面包括金屬。硅在所述導電層的所述金屬上方在所述存儲器塊之間形成。所述硅和所述金屬進行反應以從其形成直接抵靠且縱向沿著所述導電層中的個別者的所述金屬的金屬硅化物。在所述反應之后，從所述存儲器塊之間移除所述硅中的未反應者，并在所述存儲器塊之間且縱向沿著所述存儲器塊形成居間材料。公開了其它實施例，包含獨立于方法的結構。

技術領域

本文公開的實施例涉及存儲器陣列且涉及用于形成存儲器陣列的方法。

背景技術

存儲器是一種集成電路系統且在計算機系統中用于存儲數據。存儲器可制造成個別存儲器單元的一或多個陣列。可使用數字線(其也可稱作位線、數據線或感測線)和存取線(其也可稱作字線)對存儲器單元進行寫入或從中進行讀取。感測線可沿著陣列的列使存儲器單元以導電方式互連，且存取線可沿著陣列的行使存儲器單元以導電方式互連。每個存儲器單元可通過感測線與存取線的組合唯一地尋址。

存儲器單元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元可在不通電的情況下將數據存儲很長一段時間。通常將非易失性存儲器指定為具有至少約10年保持時間的存儲器。易失性存儲器會耗散，且因此經刷新/重寫以維持數據存儲。易失性存儲器可具有數毫秒或更少的保持時間。無論如何，存儲器單元配置成以至少兩個不同的可選狀態保持或存儲存儲器。在二進制系統中，所述狀態被視作“0”或“1”。在其它系統中，至少一些個別存儲器單元可配置成存儲多于兩個水平或狀態的信息。

場效應晶體管是一種可用于存儲器單元中的電子組件。這些晶體管包括一對導電源極/漏極區，所述一對導電源極/漏極區之間具有半導電溝道區。導電柵極鄰近溝道區且通過薄的柵極絕緣體與溝道區分開。向柵極施加合適的電壓允許電流通過溝道區從源極/漏極區中的一者流動到另一者。當從柵極移除電壓時，基本上防止了電流流動通過溝道區。場效應晶體管還可包含額外結構，例如，作為柵極絕緣體與導電柵極之間的柵極構造的部分的可以可逆方式編程的電荷存儲區。

快閃存儲器是一種存儲器，且大量用于現代計算機和裝置中。舉例來說，現代個人計算機可將BIOS存儲在快閃存儲器芯片上。作為另一實例，越來越常見的是，計算機和其它裝置利用固態驅動器中的快閃存儲器來替代常規硬盤驅動器。作為又一實例，快閃存儲器在無線電子裝置中普及，這是因為快閃存儲器使得制造商能夠在新的通信協議變得標準化時支持這些通信協議，且使得制造商能夠提供針對增強特征遠程升級裝置的能力。

NAND可以是集成快閃存儲器的基本架構。NAND單元裝置包括與存儲器單元的串聯組合進行串聯耦合的至少一個選擇裝置(且所述串聯組合通常稱為NAND串)。NAND架構可按三維布置配置，其包括豎直堆疊的存儲器單元，所述豎直堆疊的存儲器單元單獨地包括可以可逆方式編程的豎直晶體管。控制電路系統或其它電路系統可形成于豎直堆疊的存儲器單元下方。其它易失性或非易失性存儲器陣列架構也可包括單獨地包括晶體管的豎直堆疊的存儲器單元。

存儲器陣列可布置于存儲器頁、存儲器塊和部分塊(例如，子塊)和存儲器平面中，例如如第2015/0228651號、第2016/0267984號和第2017/0140833號美國專利申請公開案中的任一個中所展示和描述。存儲器塊可至少部分地限定豎直堆疊的存儲器單元的個別字線層中的個別字線的縱向輪廓。與這些字線的連接可在豎直堆疊的存儲器單元的陣列的末端或邊緣處所謂的“階梯結構”中發生。階梯結構包含個別“臺階”(替代地稱為“階”或“階梯”)，其限定個別字線的接觸區，豎向延伸的導電通孔接觸所述接觸區以提供對字線的電存取。

發明內容