[發明專利]包括存儲器單元串的存儲器陣列和用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 202110220250.6
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113345907A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11565
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種用于形成包括存儲器單元串的存儲器陣列的方法，其包括：

形成各自包括豎直堆疊的橫向間隔開的存儲器塊，所述豎直堆疊包括交替的絕緣層和導電層，存儲器單元的溝道材料串延伸穿過所述絕緣層和所述導電層，所述導電層沿著所述存儲器塊的側面包括金屬；

在所述導電層的所述金屬上方在所述存儲器塊之間形成硅；

使所述硅和所述金屬進行反應以從其形成直接抵靠且縱向沿著所述導電層中的個別者的所述金屬的金屬硅化物；以及

在所述反應之后，從所述存儲器塊之間移除所述硅中的未反應者，并在所述存儲器塊之間且縱向沿著所述存儲器塊形成居間材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述反應包括引起所述反應的加熱；且所述方法進一步包括：

抵靠所述溝道材料串的所述溝道材料的側壁形成導電摻雜的半導電材料；且

所述加熱將所述導電摻雜的半導電材料中的導電率增大的摻雜劑擴散到所述溝道材料串的所述溝道材料中，所述加熱激活所述導電摻雜的半導電材料中及所述溝道材料串的所述溝道材料中的所述導電率增大的摻雜劑。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電層中的所述金屬硅化物向上伸出到橫向處于所述存儲器塊之間的緊接著更高的絕緣層中。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電層中的所述金屬硅化物向下伸出到橫向處于所述存儲器塊之間的緊接著更低的絕緣層中。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述導電層中的所述金屬硅化物向上伸出到橫向處于所述存儲器塊之間的緊接著更高的絕緣層中；且

所述導電層中的所述金屬硅化物向下伸出到橫向處于所述存儲器塊之間的緊接著更低的絕緣層中。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電層的所述金屬在遠離所述溝道材料串的方向上橫向地伸出到橫向處于所述存儲器塊之間的空間中，所述反應將所述金屬硅化物形成為在豎直橫截面中具有C狀形狀。

7.根據權利要求1所述的方法，其包括在所述存儲器塊下的導體層，其包括導體材料，所述居間材料包括直接抵靠所述導體層的所述導體材料的絕緣材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其包括在形成所述橫向間隔開的存儲器塊之前形成所述溝道材料串。