[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法及半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110220033.7
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN114078713A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大野天頌;德渕圭介;友野章
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/78;H01L23/498
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發(fā)明提供一種可以將設(shè)置在半導體晶圓的粘接膜更恰當?shù)胤指畹陌雽w裝置的制造方法及半導體裝置。本實施方式的半導體裝置的制造方法具備如下步驟，即，在半導體晶圓的第1面設(shè)置粘接膜，所述半導體晶圓具有第1面及位于該第1面的相反側(cè)的第2面，且在第1面具有半導體元件及與該半導體元件電連接的凸塊。另外，本制造方法具備如下步驟，即，沿著半導體晶圓的分割區(qū)域，從粘接膜側(cè)形成切口部。另外，本制造方法具備如下步驟，即，沿著切口部，將半導體晶圓單片化成半導體芯片。另外，本制造方法具備如下步驟，即，使半導體芯片的第1面與配線襯底對向，使凸塊在粘接膜內(nèi)連接于配線襯底。

相關(guān)申請的引用

本申請基于2020年08月19日提出申請的在先日本專利申請第2020-138825號的優(yōu)先權(quán)而主張優(yōu)先權(quán)利益，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法及半導體裝置。

背景技術(shù)

作為將半導體芯片安裝到配線襯底的方法，已知有倒裝芯片連接。在倒裝芯片連接 中，為了連接部分的可靠性，在半導體芯片與配線襯底之間填充樹脂。作為填充樹脂，例如，有時使用NCF(Non Conductive Film，非導電膜)等粘接膜。例如，通過將貼附有 NCF的半導體晶圓切割，可以獲得帶NCF的單片化的半導體芯片。另外，通過在切割 后的半導體晶圓上貼附NCF并將NCF切斷，也可以獲得帶NCF的單片化的半導體芯 片。

但是，有時在半導體晶圓上的一部分會產(chǎn)生例如NCF沒有完全被分割或NCF蜿蜒地被分割等NCF的分割不良。

發(fā)明內(nèi)容

提供一種可以將設(shè)置在半導體晶圓的粘接膜更恰當?shù)胤指畹陌雽w裝置的制造方 法及半導體裝置。

本實施方式的半導體裝置的制造方法具備如下步驟，即，在半導體晶圓的第1面設(shè)置粘接膜，所述半導體晶圓具有第1面及位于該第1面的相反側(cè)的第2面，且在第1面 具有半導體元件及與該半導體元件電連接的凸塊。另外，本制造方法具備如下步驟，即， 沿著半導體晶圓的分割區(qū)域，從粘接膜側(cè)形成切口部。另外，本制造方法具備如下步驟， 即，沿著切口部，將半導體晶圓單片化成半導體芯片。另外，本制造方法具備如下步驟， 即，使半導體芯片的第1面與配線襯底對向，使凸塊在粘接膜內(nèi)連接于配線襯底。

根據(jù)所述構(gòu)成，能夠提供一種可以將設(shè)置在半導體晶圓的粘接膜更恰當?shù)胤指畹陌?導體裝置的制造方法及半導體裝置。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體裝置的構(gòu)成例的剖視圖。

圖2是表示第1實施方式的半導體晶圓的一例的概略俯視圖。

圖3A是表示第1實施方式的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3B是表示繼圖3A后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3C是表示繼圖3B后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3D是表示繼圖3C后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3E是表示繼圖3D后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3F是表示繼圖3E后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖3G是表示繼圖3F后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖4是表示第2實施方式的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖5A是表示第3實施方式的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。

圖5B是表示繼圖5A后的半導體裝置的制造方法的一例的剖視圖。