[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體裝置

在審

• 申請號: 202110220033.7
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN114078713A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 大野天頌;德渕圭介;友野章
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/78;H01L23/498
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體裝置的制造方法，具備如下步驟：

在半導體晶圓的第1面設置粘接膜，所述半導體晶圓具有所述第1面及位于該第1面的相反側的第2面，且在所述第1面具有半導體元件及與該半導體元件電連接的凸塊，

沿著所述半導體晶圓的分割區域，從所述粘接膜側形成切口部，

沿著所述切口部，將所述半導體晶圓單片化成半導體芯片，

使所述半導體芯片的所述第1面與配線襯底對向，使所述凸塊在所述粘接膜內連接于所述配線襯底。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其還具備如下步驟：

沿著所述半導體晶圓的分割區域，從所述粘接膜側形成比所述半導體晶圓的所述第1面淺的所述切口部，

沿著所述切口部，將所述半導體晶圓單片化成所述半導體芯片，并且將所述粘接膜分割。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其具備如下步驟：

沿著所述分割區域，從所述粘接膜側形成比所述半導體元件深且比所述半導體晶圓的所述第2面淺的所述切口部，

以切斷面具有與所述切口部的截面不同的形狀或表面狀態的方式將所述半導體晶圓切斷，由此，沿著所述切口部，將所述半導體晶圓單片化成所述半導體芯片。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其還具備如下步驟，即，在所述半導體晶圓設置所述粘接膜之前，沿著所述分割區域，從所述半導體晶圓的所述第1面側形成比所述半導體元件深且比所述半導體晶圓的所述第2面淺的槽。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其還具備如下步驟：

在所述半導體晶圓設置所述粘接膜之前，從所述半導體晶圓的所述第2面側照射激光光束，由此，沿著所述分割區域在所述半導體晶圓內形成改質部，

通過以所述改質部為起點將所述半導體晶圓劈開，而沿著所述切口部將所述半導體晶圓單片化成所述半導體芯片。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其還具備如下步驟，即，在形成所述改質部之后且設置所述粘接膜之前，對從所述改質部向所述半導體晶圓的所述第1面或所述第2面延伸的裂紋的狀態進行檢查。

7.一種半導體裝置，包括：

配線襯底；

半導體芯片，具有第1面及位于該第1面的相反側的第2面，在所述第1面具有半導體元件及與該半導體元件電連接的凸塊，且在所述第1面側經由所述凸塊而與所述配線襯底連接；及

粘接膜，在所述半導體芯片與所述配線襯底之間被覆所述凸塊；且

所述半導體芯片具有缺口部，所述缺口部設置在位于所述第1面與所述第2面之間的所述半導體芯片的側面與所述第1面交叉的角部。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述缺口部的缺口面具有與所述側面不同的形狀或表面狀態。

9.根據權利要求7或8所述的半導體裝置，其中所述粘接膜與所述缺口部的缺口面接觸。