[發明專利]用于半導體存儲器裝置的錯誤檢查和擦除

在審

• 申請號: 202110219629.5
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113393890A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: R·J·魯尼;M·A·布萊瑟
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C11/406
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及用于半導體存儲器裝置的錯誤檢查和擦除。描述用于存儲器裝置(例如，DRAM)的包含結合刷新操作的錯誤檢查和擦除ECS程序的方法、系統和設備。所述ECS程序可當在碼字中檢測到錯誤時包含讀取/修改?寫入循環。在一些實施例中，所述存儲器裝置可在多個刷新命令內完成所述ECS程序，即通過在執行第一刷新命令時執行所述ECS程序的讀取(或讀取/修改)部分，以及通過在執行第二刷新命令時執行所述ECS程序的寫入部分來完成所述ECS程序。本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在所述ECS程序和其它存儲器操作之間出現的信令沖突或干擾。

技術領域

本公開大體上涉及存儲器裝置，且更具體來說，涉及用于半導體存儲器裝置的錯誤檢查和擦除。

背景技術

存儲器裝置廣泛地用于存儲與例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置相關的信息。存儲器裝置可為易失性或非易失性并且可具有各種類型，例如磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)等。通過將存儲器單元充電到具有不同狀態來使信息存儲于各種類型的RAM中。改進RAM存儲器裝置通常可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度或以其它方式減少操作時延、增加可靠性、增加數據保持、減少功率消耗或減少制造成本等。

發明內容

本公開的一方面針對于一種方法，其包括：在存儲器裝置處接收指向存儲器單元庫的第一刷新命令；響應于接收到所述第一刷新命令，激活所述存儲器單元庫的目標行并且從所述目標行檢索數據，所述數據包括對應于與所述目標行相關聯的地址的碼字；檢測所述檢索到的數據的所述碼字中的至少一個錯誤；在所述存儲器裝置處接收指向所述存儲器單元庫的第二刷新命令；和響應于接收到所述第二刷新命令，激活所述目標行并且在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述碼字。

本公開的另一方面針對于一種方法，其包括：在存儲器裝置處接收指向包含多個行的存儲器單元庫的第一刷新命令；和響應于接收到所述第一刷新命令：激活所述多個行中的第一行；從所述第一行檢索第一碼字，所述第一碼字對應于與所述第一行相關聯的地址；使用所述存儲器裝置的錯誤校正碼(ECC)電路檢查所述第一碼字中的一或多個錯誤；和在激活所述多個行中的第二行之前解除激活所述第一行。

本公開的又一方面針對于一種存儲器裝置，其包括：存儲器陣列，其包含存儲器單元庫；錯誤校正碼(ECC)電路，其與所述存儲器陣列耦合；和電路系統，其與所述存儲器陣列和所述ECC電路耦合，所述電路系統被配置成：從主機裝置接收指向所述存儲器單元庫的第一刷新命令；響應于接收到所述第一刷新命令，激活所述存儲器單元庫的目標行并且從所述目標行檢索數據，所述數據包括對應于與所述目標行相關聯的地址的碼字；使用所述ECC電路檢測所述碼字中的至少一個錯誤；在所述存儲器裝置處接收指向所述存儲器單元庫的第二刷新命令；和響應于接收到所述第二刷新命令，激活所述目標行并且在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述碼字。

附圖說明

根據下文給出的詳細描述和本公開的各種實施例的附圖，將更充分地理解本公開。

圖1說明根據本發明技術的一實施例的示意性地說明存儲器裝置的簡化框圖。

圖2是根據本公開的一實施例的說明用于執行錯誤檢查和擦除(ECS)程序的各種組件的實例存儲器裝置的簡化框圖。

圖3是根據本公開的一實施例的用于執行ECS程序的實例流程圖。

圖4是示意性地說明根據本公開的一實施例的實例存儲器系統的簡化框圖。

圖5是根據本公開的一實施例的實例計算機系統的框圖。

圖6和7是根據本公開的一些實施例的用于執行ECS程序的方法的流程圖。

具體實施方式