[發明專利]用于半導體存儲器裝置的錯誤檢查和擦除

在審

• 申請號: 202110219629.5
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113393890A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: R·J·魯尼;M·A·布萊瑟
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C11/406
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

在存儲器裝置處接收指向存儲器單元庫的第一刷新命令；

響應于接收到所述第一刷新命令，激活所述存儲器單元庫的目標行并且從所述目標行檢索數據，所述數據包括對應于與所述目標行相關聯的地址的碼字；

檢測所述檢索到的數據的所述碼字中的至少一個錯誤；

在所述存儲器裝置處接收指向所述存儲器單元庫的第二刷新命令；和

響應于接收到所述第二刷新命令，激活所述目標行并且在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述碼字。

2.根據權利要求1所述的方法，其另外包括：

在所述存儲器裝置處接收到所述第二刷新命令之前解除激活所述存儲器單元庫的所述目標行。

3.根據權利要求1所述的方法，其另外包括：

至少部分地基于檢測到所述碼字中的所述至少一個錯誤而校正所述至少一個錯誤，其中檢測和校正所述碼字中的所述至少一個錯誤包括使用所述存儲器裝置的錯誤校正碼ECC電路。

4.根據權利要求3所述的方法，其另外包括：

基于校正所述碼字中的所述至少一個錯誤，向寄存器寫入所述碼字已經校正的指示。

5.根據權利要求1所述的方法，其另外包括：

將包含具有所述至少一個經校正錯誤的所述碼字的所述數據寫入于與所述存儲器單元庫耦合的一或多個寄存器中。

6.根據權利要求1所述的方法，其另外包括：

確定尚未執行通到所述地址的寫入命令，其中在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述碼字是基于所述確定。

7.一種方法，其包括：

在存儲器裝置處接收指向包含多個行的存儲器單元庫的第一刷新命令；和

響應于接收到所述第一刷新命令：

激活所述多個行中的第一行；

從所述第一行檢索第一碼字，所述第一碼字對應于與所述第一行相關聯的地址；

使用所述存儲器裝置的錯誤校正碼ECC電路檢查所述第一碼字中的一或多個錯誤；和

在激活所述多個行中的第二行之前解除激活所述第一行。

8.根據權利要求7所述的方法，其另外包括：

校正所述第一碼字中的至少一個錯誤；和

將具有所述至少一個經校正錯誤的所述第一碼字存儲于與所述存儲器單元庫耦合的一或多個寄存器中。

9.根據權利要求7所述的方法，其另外包括：

在所述存儲器裝置處接收指向所述存儲器單元庫的第二刷新命令；和

響應于接收到所述第二刷新命令：

確定所述第一碼字不包含錯誤；

激活所述第二行；

從所述第二行檢索第二碼字；和

使用所述ECC電路檢查所述第二碼字中的一或多個錯誤。

10.根據權利要求7所述的方法，其另外包括：

當所述ECC電路基于檢查所述第一碼字中的所述一或多個錯誤而檢測到所述至少一個錯誤時，使用所述ECC電路校正所述第一碼字中的至少一個錯誤；和

設置所述第一碼字已經校正的指示。

11.根據權利要求10所述的方法，其另外包括：

在所述存儲器裝置處接收指向所述存儲器單元庫的第二刷新命令；和

響應于接收到所述第二刷新命令：

激活所述第一行；和

至少部分地基于所述指示，在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述第一碼字。

12.根據權利要求11所述的方法，其另外包括：

確定在所述地址處尚未執行寫入命令，其中在所述地址處寫入具有所述至少一個經校正錯誤的所述第一碼字是基于所述確定。