[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110219010.4
• 申請(qǐng)日: 2021-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN113025991B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙堃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/34
• 分類號(hào): C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;H01L21/28
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：提供基底；采用原子層沉積工藝，在所述基底上形成氮化硅膜層，所述原子層沉積工藝包括多個(gè)循環(huán)沉積步驟，在每個(gè)所述循環(huán)沉積步驟中向所述基底表面提供硅源氣體和氮源氣體；其中，在每個(gè)所述循環(huán)沉積步驟之前，還包括修復(fù)步驟，所述修復(fù)步驟中，向所述基底表面提供含氫的修復(fù)氣體，所述修復(fù)氣體包含極性分子，以修復(fù)所述基底表面的損傷。本發(fā)明實(shí)施例有利于修復(fù)基底表面的損傷，從而有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率和電學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。

背景技術(shù)

在制備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝步驟中，由于工藝需要，制程過(guò)程中經(jīng)常涉及蝕刻工藝，由于蝕刻過(guò)程中存在很多不可控因素，雖然目前已經(jīng)能夠較為成熟的通過(guò)控制必要的工藝參數(shù)來(lái)達(dá)到工藝需求，但還是會(huì)不可避免的對(duì)基質(zhì)表面造成一定的損傷，影響基質(zhì)與其他膜層之間的貼附效果，也影響半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)良率和電學(xué)性能。

因而，在刻蝕工藝之后，修復(fù)基質(zhì)表面損傷的問(wèn)題有待解決。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例解決的技術(shù)問(wèn)題為提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，有利于修復(fù)基質(zhì)表面的損傷，從而有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率和電學(xué)性能。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；采用原子層沉積工藝，在所述基底上形成氮化硅膜層，所述原子層沉積工藝包括多個(gè)循環(huán)沉積步驟，在每個(gè)所述循環(huán)沉積步驟中向所述基底表面提供硅源氣體和氮源氣體；其中，在每個(gè)所述循環(huán)沉積步驟之前，還包括修復(fù)步驟，所述修復(fù)步驟中，向所述基底表面提供含氫的修復(fù)氣體，所述修復(fù)氣體包含極性分子，以修復(fù)所述基底表面的損傷。

另外，所述修復(fù)氣體與所述氮源氣體為同種氣體。

另外，所述修復(fù)氣體包括氨氣。

另外，所述修復(fù)步驟包括第一修復(fù)步驟和第二修復(fù)步驟，所述第一修復(fù)步驟處于首次所述循環(huán)沉積步驟之前，所述第二修復(fù)步驟處于每?jī)蓚€(gè)相鄰的所述循環(huán)沉積步驟之間，且所述第一修復(fù)步驟的工藝時(shí)長(zhǎng)大于所述第二修復(fù)步驟的工藝時(shí)長(zhǎng)。

另外，提供所述基底的步驟包括：提供襯底；在所述襯底上形成相互間隔的位線結(jié)構(gòu)；在所述位線結(jié)構(gòu)表面和所述襯底表面形成緩沖層，且所述緩沖層的材料與所述氮化硅膜的材料不同。

另外，形成所述緩沖層的方法包括低壓化學(xué)氣相沉積法。

另外，在垂直于所述襯底表面的方向上，所述緩沖層的厚度為2nm～6nm。

另外，所述第一修復(fù)步驟的工藝時(shí)長(zhǎng)包括1min～10min。

另外，所述第二修復(fù)步驟的工藝時(shí)長(zhǎng)包括1s～50s。

另外，所述修復(fù)氣體包括：所述第一修復(fù)步驟中的第一修復(fù)氣體，所述第二修復(fù)步驟中的第二修復(fù)氣體；其中，所述第一修復(fù)氣體的氣體流量大于所述第二修復(fù)氣體的氣體流量。

另外，所述第一修復(fù)氣體的氣體流量包括3L/min～10L/min。

另外，所述第二修復(fù)氣體的氣體流量包括2L/min～5L/min。

另外，在進(jìn)行所述修復(fù)步驟之后，還包括：吹掃步驟，以清除所述修復(fù)氣體。

另外，所述原子層沉積工藝為熱處理原子層沉積工藝，且所述修復(fù)步驟采用的工藝為熱處理工藝。

另外，所述修復(fù)步驟的工藝溫度與所述熱處理原子層沉積工藝的工藝溫度相同。

另外，所述原子層沉積工藝為等離子體原子層沉積工藝，且所述修復(fù)步驟采用的工藝為等離子體工藝。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：