[發明專利]半導體結構的制作方法

有效

• 申請號: 202110219010.4
• 申請日: 2021-02-26
• 公開（公告）號: CN113025991B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 趙堃
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;H01L21/28
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

采用原子層沉積工藝，在所述基底上形成氮化硅膜層，所述原子層沉積工藝包括多個循環沉積步驟，在每個所述循環沉積步驟中向所述基底表面提供硅源氣體和氮源氣體；

其中，在每個所述循環沉積步驟之前，還包括修復步驟，所述修復步驟中，向所述基底表面提供含氫的修復氣體，所述修復氣體包含極性分子，以修復所述基底表面的損傷。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述修復氣體與所述氮源氣體為同種氣體。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的制作方法，所述修復氣體包括氨氣。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述修復步驟包括第一修復步驟和第二修復步驟，所述第一修復步驟處于首次所述循環沉積步驟之前，所述第二修復步驟處于每兩個相鄰的所述循環沉積步驟之間，且所述第一修復步驟的工藝時長大于所述第二修復步驟的工藝時長。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，提供所述基底的步驟包括：提供襯底；在所述襯底上形成相互間隔的位線結構；在所述位線結構表面和所述襯底表面形成緩沖層，且所述緩沖層的材料與所述氮化硅膜層的材料不同。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成所述緩沖層的方法包括低壓化學氣相沉積法。

7.根據權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在垂直于所述襯底表面的方向上，所述緩沖層的厚度為2nm～6nm。

8.根據權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一修復步驟的工藝時長的范圍為1min～10min。

9.根據權利要求5所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第二修復步驟的工藝時長的范圍為1s～50s。

10.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述修復氣體包括：所述第一修復步驟中的第一修復氣體，所述第二修復步驟中的第二修復氣體；其中，所述第一修復氣體的氣體流量大于所述第二修復氣體的氣體流量。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一修復氣體的氣體流量的范圍為3L/min～10L/min。

12.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第二修復氣體的氣體流量的范圍為2L/min～5L/min。

13.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在進行所述修復步驟之后，還包括：吹掃步驟，以清除所述修復氣體。

14.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝為熱處理原子層沉積工藝，且所述修復步驟采用的工藝為熱處理工藝。

15.根據權利要求14所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述修復步驟的工藝溫度與所述熱處理原子層沉積工藝的工藝溫度相同。

16.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝為等離子體原子層沉積工藝，且所述修復步驟采用的工藝為等離子體工藝。