[發(fā)明專利]一種掩膜板組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110216696.1 | 申請日: | 2021-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN113025956B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉佳寧;白珊珊;畢娜;劉華猛;關(guān)新興 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掩膜板 組件 | ||
1.一種掩膜板組件,其特征在于,包括:支撐框架和覆蓋于所述支撐框架上的掩膜層,所述掩膜層包括多個(gè)間隔分布的掩膜條;
所述支撐框架包括:外框、以及設(shè)于所述外框上的多個(gè)間隔分布的遮擋條;所述遮擋條的延伸方向與所述掩膜條的延伸方向相同,且所述遮擋條的排列方向與所述掩膜條的排列方向相同,每個(gè)所述掩膜條搭接于相鄰的兩個(gè)所述遮擋條上,所述遮擋條用于遮擋相鄰的兩個(gè)所述掩膜條之間的間隙;
其中,所述遮擋條包括遮擋層和位于所述遮擋層遠(yuǎn)離所述掩膜層一側(cè)的第一支撐層;所述第一支撐層在所述掩膜層上的正投影位于所述遮擋層在所述掩膜層上的正投影內(nèi);所述第一支撐層的材料的磁性小于所述遮擋層的材料的磁性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組件,其特征在于,所述遮擋層的材料與所述掩膜條的材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板組件,其特征在于,沿垂直于所述掩膜層的方向,所述遮擋層的尺寸與所述掩膜條的尺寸相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組件,其特征在于,在相互對應(yīng)的遮擋條和相鄰的兩個(gè)所述掩膜條之間的間隙中,所述第一支撐層在所述掩膜層上的正投影位于所述間隙內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板組件,其特征在于,在相互對應(yīng)的遮擋條和相鄰的兩個(gè)所述掩膜條之間的間隙中,沿垂直于所述遮擋條的排列方向,所述第一支撐層的尺寸小于所述間隙的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的掩膜板組件,其特征在于,所述第一支撐層為形成在所述遮擋層上的電鑄層,以與所述遮擋層形成一體式結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的掩膜板組件,其特征在于,所述第一支撐層與所述遮擋層為分體式結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組件,其特征在于,所述支撐框架還包括設(shè)于所述外框上的多個(gè)間隔分布的支撐條,多個(gè)所述支撐條與多個(gè)所述遮擋條相交設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜板組件,其特征在于,所述支撐條包括第二支撐層和位于所述第二支撐層遠(yuǎn)離所述掩膜層一側(cè)的第三支撐層;沿所述支撐條的排列方向,所述第三支撐層的尺寸小于所述第二支撐層的尺寸;所述第三支撐層的材料的磁性小于所述第二支撐層的材料的磁性。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜板組件,其特征在于,所述第二支撐層的材料與所述掩膜條的材料相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩膜板組件,其特征在于,沿垂直于所述掩膜層的方向,所述第二支撐層的尺寸與所述掩膜條的尺寸相同。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





