[發明專利]一種硅片偏移量確定方法及硅片交接精度檢測方法

在審

• 申請號: 202110210408.1
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113035734A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 趙文成;胡海;黃承錦
• 申請（專利權）人: 北京華卓精科科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/68
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 張陽

本發明提供了一種硅片偏移量確定方法及硅片交接精度檢測方法，涉及半導體技術領域，上述硅片偏移量確定方法包括：當硅片位于預設交接位時，基于第一光電傳感器獲取硅片上第一預設標記點的第一坐標；其中，第一光電傳感器的焦平面位于預設交接位處硅片的上表面；當硅片位于承片臺時，基于第二光電傳感器獲取硅片上第二預設標記點的第二坐標；其中，第二光電傳感器的焦平面位于承片臺處硅片的上表面；基于第一坐標和第二坐標確定硅片的偏移量。本發明能夠精確計算得到硅片的偏移量，提升了硅片偏移量檢測的準確性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種硅片偏移量確定方法及硅片交接精度檢測方法。

背景技術

在硅片的交接上片過程中，測試工裝上的片叉(Gripper)把硅片送到交接位，提升銷(elevator pin，也可以稱為Epin、針腳或e銷)部件通真空，上升到硅片下表面，與片叉完成硅片轉移，并帶硅片運動到上極限位。在Epin舉升狀態下，上片機械手片叉撤出，Epin將硅片放置到承片臺上且由承片臺吸盤固定。由于系統內的各種誤差與擾動，上片交接過程中，硅片在水平面有位置偏移量，為了檢測光刻機的精確度，需要進行硅片交接重復定位性能測試，檢測交接過程中的硅片位置偏移量，確定偏移量是否滿足要求。

現有的硅片定位技術，主要采用光電傳感器上下移動檢測交接位和承片臺處硅片上的標記點進行硅片定位的，由于交接位和硅片承片臺處于不同的高度位置，光電傳感器在上下移動時容易在水平產生誤差，進而在硅片定位中將移動產生的誤差帶進硅片定位數據中，降低了硅片定位精度，進而使計算得到的硅片偏移量存在誤差，降低了硅片偏移量檢測的準確性。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種硅片偏移量確定方法及硅片交接精度檢測方法，能夠精確計算得到硅片的偏移量，提升了硅片偏移量檢測的準確性。

為了實現上述目的，本發明實施例采用的技術方案如下：

第一方面，本發明實施例提供了一種硅片偏移量確定方法，包括：當硅片位于預設交接位時，基于第一光電傳感器獲取所述硅片上第一預設標記點的第一坐標；其中，所述第一光電傳感器的焦平面位于所述預設交接位處硅片的上表面；當所述硅片位于承片臺時，基于第二光電傳感器獲取所述硅片上第二預設標記點的第二坐標；其中，所述第二光電傳感器的焦平面位于所述承片臺處硅片的上表面；基于所述第一坐標和所述第二坐標確定所述硅片的偏移量。

優選的，所述第一坐標為第一坐標系下的坐標，所述第二坐標為第二坐標系下的坐標；所述基于所述第一坐標和所述第二坐標確定所述硅片的偏移量的步驟，包括：基于所述第一坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標；基于所述第二坐標計算所述硅片的中心點在所述第二坐標系下的坐標，得到中心點第二坐標；基于所述中心點第一坐標和所述中心點第二坐標確定所述硅片在交接過程中的偏移量。

優選的，所述方法還包括：基于所述第一預設標記點和所述第二預設標記點，確定所述第一預設標記點與所述第二預設標記點的坐標轉換關系。

優選的，所述第一預設標記點包括兩個或兩個以上標記點；所述基于所述第一坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標的步驟，包括：基于所述第一坐標中各標記點的坐標確定所述硅片與所述第一坐標系橫軸的第一夾角；基于所述第一坐標、所述第一夾角及所述坐標轉換關系，計算所述第二預設標記點在所述第一坐標系中的第一目標坐標；獲取所述第一預設標記點及所述第二預設標記點在所述硅片上的位置信息，基于第一目標坐標及所述位置信息確定所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標。