[發明專利]一種硅片偏移量確定方法及硅片交接精度檢測方法

在審

• 申請號: 202110210408.1
• 申請日: 2021-02-25
• 公開（公告）號: CN113035734A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 趙文成;胡海;黃承錦
• 申請（專利權）人: 北京華卓精科科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/68
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 張陽

1.一種硅片偏移量確定方法，其特征在于，包括：

當硅片位于預設交接位時，基于第一光電傳感器獲取所述硅片上第一預設標記點的第一坐標；其中，所述第一光電傳感器的焦平面位于所述預設交接位處硅片的上表面；

當所述硅片位于承片臺時，基于第二光電傳感器獲取所述硅片上第二預設標記點的第二坐標；其中，所述第二光電傳感器的焦平面位于所述承片臺處硅片的上表面；

基于所述第一坐標和所述第二坐標確定所述硅片的偏移量。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一坐標為第一坐標系下的坐標，所述第二坐標為第二坐標系下的坐標；所述基于所述第一坐標和所述第二坐標確定所述硅片的偏移量的步驟，包括：

基于所述第一坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標；

基于所述第二坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第二坐標；

基于所述中心點第一坐標和所述中心點第二坐標確定所述硅片在交接過程中的偏移量。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

基于所述第一預設標記點和所述第二預設標記點，確定所述第一預設標記點與所述第二預設標記點的坐標轉換關系。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一預設標記點包括兩個或兩個以上標記點；所述基于所述第一坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標的步驟，包括：

基于所述第一坐標中各標記點的坐標確定所述硅片與所述第一坐標系橫軸的第一夾角；

基于所述第一坐標、所述第一夾角及所述坐標轉換關系，計算所述第二預設標記點在所述第一坐標系中的第一目標坐標；

獲取所述第一預設標記點及所述第二預設標記點在所述硅片上的位置信息，基于第一目標坐標及所述位置信息確定所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第一坐標。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二預設標記點包括兩個或兩個以上標記點；所述基于所述第二坐標計算所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第二坐標的步驟，包括：

基于所述第二預設標記點中各標記點在所述第二坐標系下的坐標，確定所述硅片與所述第二坐標系橫軸的第二夾角；

基于所述第二坐標、所述第二夾角及所述坐標轉換關系，計算所述第二預設標記點在所述第一坐標系下的第二目標坐標；

獲取所述第一預設標記點及所述第二預設標記點在所述硅片上的位置信息，基于第二目標坐標及所述位置信息確定所述硅片的中心點在所述第一坐標系下的坐標，得到中心點第二坐標。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述偏移量包括橫向偏移量、縱向偏移量和硅片轉角；所述基于所述第一中心點坐標和所述第二中心點坐標確定所述硅片在交接過程中的偏移量的步驟，包括：

計算所述第一中心點坐標與所述第二中心點坐標的橫坐標差值，得到所述橫向偏移量；

計算所述第一中心點坐標與所述第二中心點坐標的縱坐標差值，得到所述縱向偏移量；

基于所述硅片與所述第一坐標系橫軸的第一夾角及所述硅片與所述第二坐標系橫軸的第二夾角，確定所述硅片在交接過程中的硅片轉角。

7.一種硅片交接精度檢測方法，其特征在于，應用于光刻機，所述硅片交接精度檢測方法包括：

基于權利要求1-6任一項所述硅片偏移量確定方法，檢測硅片在多次交接上片過程中的偏移量，得到多組偏移量；

對所述多組偏移量進行正態分布計算，得到所述光刻機的硅片交接精度。