[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110208949.0
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113471191A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞炫圭;柳志秀;樸在浩
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元區(qū)域和填充區(qū)域。所述半導(dǎo)體裝置包括：有源圖案，在所述第一單元區(qū)域內(nèi)部在所述第一方向上延伸；柵電極，在所述有源圖案上在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；柵極接觸，電連接到所述柵電極的上表面；源極/漏極接觸，電連接到所述有源圖案的源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極接觸與所述柵電極的一側(cè)相鄰；連接線路，在所述第一單元區(qū)域和所述填充區(qū)域上方在所述第一方向上延伸，并且電連接到所述柵極接觸或所述源極/漏極接觸中的一者；和填充線路，位于所述填充區(qū)域內(nèi)部。還提供一種相關(guān)的布圖設(shè)計(jì)方法以及制造方法。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2020年3月30日提交的韓國專利申請No.10-2020-0038316和于2020年6月30日提交的韓國專利申請No.10-2020-0079973的優(yōu)先權(quán)，這些專利申請的公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

由于諸如小型化、多功能性和/或低制造成本的特性，半導(dǎo)體裝置作為電子工業(yè)中的重要因素而受到關(guān)注。半導(dǎo)體裝置可以被分類為存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、對邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行算術(shù)處理的半導(dǎo)體邏輯裝置以及包括存儲(chǔ)元件和邏輯元件的混合半導(dǎo)體裝置。

隨著電子工業(yè)的高度發(fā)展，對半導(dǎo)體裝置的特性的需求正在逐漸增加。例如，對半導(dǎo)體裝置的高可靠性、高速度和/或多功能性的需求正在逐漸增加。為了滿足這些要求的特性，半導(dǎo)體裝置中的結(jié)構(gòu)已經(jīng)變得越來越復(fù)雜并且高度集成。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的各方面提供了半導(dǎo)體裝置，在該半導(dǎo)體裝置中，減少了高水平高度的線路的使用，并且減少了功耗和PnR(布局布線)資源損耗。

本發(fā)明構(gòu)思的各方面還提供了用于半導(dǎo)體裝置的布圖設(shè)計(jì)方法，在該半導(dǎo)體裝置中，減少了高水平高度的線路的使用，并且減少了功耗和PnR資源損耗。

本發(fā)明構(gòu)思的各方面還提供了用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，在該半導(dǎo)體裝置中，減少了高水平高度的線路的使用，并且減少了功耗和PnR資源損耗。

然而，本發(fā)明構(gòu)思的各方面不限于本文闡述的方面。通過參照下面給出的本發(fā)明構(gòu)思的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他方面對于本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元區(qū)域和填充區(qū)域，所述半導(dǎo)體裝置包括：有源圖案，所述有源圖案在所述第一單元區(qū)域內(nèi)部在所述第一方向上延伸；柵電極，所述柵電極在所述有源圖案上在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；柵極接觸，所述柵極接觸位于所述柵電極的上表面上并且電連接到所述柵電極的所述上表面；源極/漏極接觸，所述源極/漏極接觸電連接到所述有源圖案的源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極接觸與所述柵電極的一側(cè)相鄰；連接線路，所述連接線路在所述第一單元區(qū)域和所述填充區(qū)域上方在所述第一方向上延伸，并且位于所述柵極接觸或所述源極/漏極接觸中的一者上并且電連接到所述柵極接觸或所述源極/漏極接觸中的所述一者；和填充線路，所述填充線路在所述填充區(qū)域內(nèi)部在所述第二方向上延伸，并且位于所述連接線路上并且電連接到所述連接線路，其中，所述柵極接觸的上表面和所述源極/漏極接觸的上表面是共面的，并且，所述填充線路的上表面的高度等于或低于所述連接線路的上表面的高度。