[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110208949.0
• 申請(qǐng)日: 2021-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113471191A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞炫圭;柳志秀;樸在浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L23/528
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括在第一方向上彼此相鄰的第一單元區(qū)域和填充區(qū)域，所述半導(dǎo)體裝置包括：

有源圖案，所述有源圖案在所述第一單元區(qū)域內(nèi)部在所述第一方向上延伸；

柵電極，所述柵電極在所述有源圖案上在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；

柵極接觸，所述柵極接觸位于所述柵電極的上表面上并且電連接到所述柵電極的所述上表面；

源極/漏極接觸，所述源極/漏極接觸位于所述有源圖案的源極/漏極區(qū)上并且電連接到所述有源圖案的所述源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極接觸與所述柵電極的一側(cè)相鄰；

連接線(xiàn)路，所述連接線(xiàn)路在所述第一單元區(qū)域和所述填充區(qū)域上方在所述第一方向上延伸，并且位于所述柵極接觸或所述源極/漏極接觸中的一者上且電連接到所述柵極接觸或所述源極/漏極接觸中的所述一者；和

填充線(xiàn)路，所述填充線(xiàn)路在所述填充區(qū)域內(nèi)部在所述第二方向上延伸，并且位于所述連接線(xiàn)路上且電連接到所述連接線(xiàn)路，

其中，所述柵極接觸的上表面和所述源極/漏極接觸的上表面是共面的，并且

其中，所述填充線(xiàn)路的上表面的高度等于或低于所述連接線(xiàn)路的上表面的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

第一連接接觸，所述第一連接接觸位于所述柵極接觸的所述上表面上并且電連接到所述柵極接觸的所述上表面；

第二連接接觸，所述第二連接接觸位于所述源極/漏極接觸的所述上表面上并且電連接到所述源極/漏極接觸的所述上表面；和

布線(xiàn)通路，所述布線(xiàn)通路位于所述第一連接接觸的上表面或所述第二連接接觸的上表面中的一者上并且電連接到所述第一連接接觸的所述上表面或所述第二連接接觸的所述上表面中的所述一者，

所述連接線(xiàn)路位于所述布線(xiàn)通路的上表面上并且電連接到所述布線(xiàn)通路的所述上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述填充線(xiàn)路包括填充接觸，所述填充接觸的上表面與所述第一連接接觸的所述上表面和所述第二連接接觸的所述上表面共面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述填充線(xiàn)路包括填充通路，所述填充通路的上表面與所述布線(xiàn)通路的所述上表面共面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述填充線(xiàn)路的所述上表面與所述連接線(xiàn)路的所述上表面共面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

布線(xiàn)通路，所述布線(xiàn)通路位于所述連接線(xiàn)路的所述上表面上并且電連接到所述連接線(xiàn)路的所述上表面；和

布線(xiàn)線(xiàn)路，所述布線(xiàn)線(xiàn)路在所述第二方向上延伸，并且位于所述布線(xiàn)通路的上表面上且電連接到所述布線(xiàn)通路的所述上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

第一單元隔離膜，所述第一單元隔離膜在所述第一單元區(qū)域與所述填充區(qū)域之間在所述第二方向上延伸，

其中，所述填充區(qū)域包括虛設(shè)單元區(qū)域，并且

其中，所述填充線(xiàn)路被限制到所述虛設(shè)單元區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

第二單元隔離膜，所述第二單元隔離膜在所述第二方向上延伸以限定所述填充區(qū)域，

其中，所述填充區(qū)域位于所述第一單元隔離膜與所述第二單元隔離膜之間，并且

其中，所述第一單元隔離膜和所述第二單元隔離膜彼此間隔開(kāi)1個(gè)柵距。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述有源圖案包括從襯底的上表面突出的鰭型圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述有源圖案包括在襯底上彼此間隔開(kāi)的多個(gè)線(xiàn)路圖案。