[發(fā)明專利]一種EML芯片及光模塊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110206578.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114976872A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 章力明;王火雷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/34 | 分類號(hào)： | H01S5/34;H01S5/00;H01S5/187;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長(zhǎng)明;許偉群 |
| 地址： | 266555 山東省青*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 eml 芯片 模塊 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┑腅ML芯片及光模塊，EML芯片用于光模塊；所述EML芯片包括：襯底；DFB?MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方；EAM?MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方，所述EAM?MQW層的首端連接所述DFB?MQW層的末端；光柵層，設(shè)置在所述DFB?MQW層的上方；InP包層，設(shè)置在所述EAM?MQW層和所述光柵層的上方，且所述InP包層的上方設(shè)置有電隔離區(qū)，所述電隔離區(qū)的左側(cè)設(shè)置DFB正電極和EML負(fù)電極，所述DFB正電極位于所述DFB?MQW層的上方，所述電隔離區(qū)的右側(cè)設(shè)置EAM正電極，所述EAM正電極位于所述EAM?MQW層的上方。本申請(qǐng)實(shí)施例的EML芯片及光模塊，充分提高光發(fā)射調(diào)制速率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種EML芯片及光模塊。
背景技術(shù)
在云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、視頻等新型業(yè)務(wù)和應(yīng)用模式，均會(huì)用到光通信技術(shù)。而在光通信中，光模塊是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的工具，是光通信設(shè)備中的關(guān)鍵器件之一，光模塊向外部光纖中輸入的光信號(hào)強(qiáng)度直接影響光纖通信的質(zhì)量。并且隨著5G網(wǎng)絡(luò)的快速發(fā)展，處于光通信核心位置的光模塊得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，產(chǎn)生了形式多樣的光模塊。
其中，對(duì)于光模塊的信號(hào)發(fā)射，可以采用VCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser，垂直共振腔表面放射激光)、EML(Electlro-absorption ModulatedLaser，電吸收調(diào)制半導(dǎo)體激光器)等類型的信號(hào)發(fā)射方式。對(duì)于采用EML的信號(hào)發(fā)射方式的光模塊，其帶寬大于50GHz、調(diào)制速率達(dá)到80Gb/s-100Gb/s，在光通信發(fā)展中有著非常廣闊的發(fā)展前景。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種EML芯片及光模塊，充分提高光發(fā)射調(diào)制速率。
第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NEML芯片，用于光模塊，包括：
襯底；
DFB-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方；
EAM-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方，所述EAM-MQW層的首端連接所述DFB-MQW層的末端；
光柵層，設(shè)置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，設(shè)置在所述EAM-MQW層和所述光柵層的上方，且所述InP包層的上方設(shè)置有電隔離區(qū)，所述電隔離區(qū)的左側(cè)設(shè)置DFB正電極和EML負(fù)電極，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方，所述電隔離區(qū)的右側(cè)設(shè)置EAM正電極，所述EAM正電極位于所述EAM-MQW層的上方。
第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光模塊，包括：
電路板；
光發(fā)射部件，與所述電路板電連接，用于產(chǎn)生并輸出信號(hào)光，包括EML芯片；
其中，所述EML芯片包括：
襯底；
DFB-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方；
EAM-MQW層，設(shè)置在所述襯底的上方，所述EAM-MQW層的首端連接所述DFB-MQW層的末端；
光柵層，設(shè)置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，設(shè)置在所述EAM-MQW層和所述光柵層的上方，且所述InP包層的上方設(shè)置有電隔離區(qū)，所述電隔離區(qū)的左側(cè)設(shè)置DFB正電極和EML負(fù)電極，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方，所述電隔離區(qū)的右側(cè)設(shè)置EAM正電極，所述EAM正電極位于所述EAM-MQW層的上方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司，未經(jīng)青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110206578.2/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
