[發明專利]一種EML芯片及光模塊在審
| 申請號： | 202110206578.2 | 申請日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN114976872A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 章力明;王火雷 | 申請（專利權）人： | 青島海信寬帶多媒體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34;H01S5/00;H01S5/187;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長明;許偉群 |
| 地址： | 266555 山東省青*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 eml 芯片 模塊 | ||
1.一種EML芯片，其特征在于，用于光模塊，包括：
襯底；
DFB-MQW層，設置在所述襯底的上方；
EAM-MQW層，設置在所述襯底的上方，所述EAM-MQW層的首端連接所述DFB-MQW層的末端；
光柵層，設置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，設置在所述EAM-MQW層和所述光柵層的上方，且所述InP包層的上方設置有電隔離區，所述電隔離區的左側設置DFB正電極和EML負電極，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方，所述電隔離區的右側設置EAM正電極，所述EAM正電極位于所述EAM-MQW層的上方。
2.根據權利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述EML芯片的左端面設置高反射鍍膜層，所述高反射鍍膜層連接所述DFB-MQW層的首端；
所述EML芯片的右端面設置增透膜層，所述增透膜層連接所述EAM-MQW層的末端。
3.根據權利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述光柵層的長度與所述DFB-MQW層長度比為0.3-1。
4.根據權利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述DFB-MQW層的中軸線與所述EAM-MQW層的中軸線位于同一水平面。
5.根據權利要求2所述的EML芯片，其特征在于，所述高反射鍍膜層沿背離所述DFB-MQW層的方向依次設置第一SiO2層和第二TiO2層。
6.根據權利要求2所述的EML芯片，其特征在于，所述增透膜層沿背離所述EAM-MQW層的方向依次設置第一SiO2層、第二TiO2層、第三SiO2層、第四TiO2層、第五SiO2層和第六TiO2層。
7.根據權利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述電隔離區的寬度為20um-120um。
8.根據權利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述電隔離區采用刻蝕接觸層或離子注入的方式形成。
9.一種光模塊，其特征在于，包括：
電路板；
光發射部件，與所述電路板電連接，用于產生并輸出信號光，包括EML芯片；
其中，所述EML芯片包括：
襯底；
DFB-MQW層，設置在所述襯底的上方；
EAM-MQW層，設置在所述襯底的上方，所述EAM-MQW層的首端連接所述DFB-MQW層的末端；
光柵層，設置在所述DFB-MQW層的上方；
InP包層，設置在所述EAM-MQW層和所述光柵層的上方，且所述InP包層的上方設置有電隔離區，所述電隔離區的左側設置DFB正電極和EML負電極，所述DFB正電極位于所述DFB-MQW層的上方，所述電隔離區的右側設置EAM正電極，所述EAM正電極位于所述EAM-MQW層的上方。
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