[發明專利]半導體工藝設備

有效

• 申請號: 202110205830.8
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113005411B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 李默林
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/16;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：

沉積腔室（100），所述沉積腔室（100）開設有第一通孔（110）；

裝置容納腔室（200），所述裝置容納腔室（200）通過所述第一通孔（110）與所述沉積腔室（100）相連通；

檢測裝置（300），所述檢測裝置（300）設置有待檢測件（330），所述待檢測件（330）設置于所述裝置容納腔室（200）內，所述檢測裝置（300）用于帶動所述待檢測件（330）穿過所述第一通孔（110）伸入所述沉積腔室（100），并通過檢測所述待檢測件（330）的振動頻率變化獲得所述半導體工藝設備的薄膜沉積速率；

所述檢測裝置（300）包括第一驅動機構（310）、承載部（320）和第二驅動機構（360），所述承載部（320）位于所述裝置容納腔室（200）內，所述第一驅動機構（310）與所述承載部（320）相連接，所述第一驅動機構（310）用于驅動所述承載部（320）帶動所述待檢測件（330）沿所述第一通孔（110）的軸線方向移動；待檢測件（330）的數量為至少兩個，所述至少兩個待檢測件（330）間隔分布于所述承載部（320）的頂面；所述第二驅動機構（360）與所述承載部（320）相連接；所述第二驅動機構（360）用于驅動所述承載部（320）運動，以使其中一個所述待檢測件（330）與所述第一通孔（110）相對；

所述檢測裝置（300）還設置有封堵片（370），所述封堵片（370）分布在所述承載部（320）的頂面；

所述第二驅動機構（360）還用于帶動所述封堵片（370）在所述裝置容納腔室（200）內運動，以使所述封堵片（370）與所述第一通孔（110）相對；

所述第一驅動機構（310）還用于帶動所述封堵片（370）沿所述第一通孔（110）的軸線方向移動，以使所述封堵片（370）封堵所述第一通孔（110）。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述檢測裝置（300）還包括檢測元件（340）和控制器（350），所述檢測元件（340）設置于所述承載部（320）的頂面，所述待檢測件（330）設置于所述檢測元件（340）背離所述承載部（320）的頂面的一側，所述控制器（350）與所述檢測元件（340）電連接；

所述檢測元件（340）用于檢測所述待檢測件（330）的振動頻率，并向所述控制器（350）發送所述振動頻率。

3.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述封堵片（370）的數量為多個，所述待檢測件（330）的數量為多個，多個所述封堵片（370）和多個所述待檢測件（330）均間隔分布在所述承載部（320）的頂面。

4.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述第二驅動機構（360）用于驅動所述承載部（320）繞所述承載部（320）的中心軸線轉動。

5.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述承載部（320）開設有穿線通道（321），所述穿線通道（321）內穿設有連接線（380），所述檢測元件（340）與所述控制器（350）通過所述連接線（380）電連接。

6.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，在所述第一通孔（110）的軸線方向上，所述檢測元件（340）在所述承載部（320）的頂面的正投影輪廓與所述待檢測件（330）在所述承載部（320）的頂面的正投影輪廓相重合。

7.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述待檢測件（330）為晶振片。

8.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述檢測裝置（300）用于將所述待檢測件（330）的上表面移動至與位于所述沉積腔室（100）內的晶片（500）的上表面相平齊的位置。

9.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括晶片承載臺（420），所述晶片承載臺（420）可活動地位于所述裝置容納腔室（200）內，所述檢測裝置（300）與所述晶片承載臺（420）間隔設置，所述沉積腔室（100）的底壁上開設有與所述裝置容納腔室（200）相連通的第二通孔（120），所述晶片承載臺（420）可沿所述第二通孔（120）的軸線方向移動，所述晶片承載臺（420）的至少部分可通過所述第二通孔（120）伸入所述沉積腔室（100）內。