[發明專利]半導體工藝設備

有效

• 申請號: 202110205830.8
• 申請日: 2021-02-24
• 公開（公告）號: CN113005411B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 李默林
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/16;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種半導體工藝設備，包括沉積腔室(100)、裝置容納腔室(200)和檢測裝置(300)；所述沉積腔室(100)開設有第一通孔(110)；所述裝置容納腔室(200)通過所述第一通孔(110)與所述沉積腔室(100)相連通；所述檢測裝置(300)設置有待檢測件(330)，所述待檢測件(330)設置于所述裝置容納腔室(200)內，所述檢測裝置(300)用于帶動所述待檢測件(330)穿過所述第一通孔(110)伸入所述沉積腔室(100)，并通過檢測所述待檢測件(330)的振動頻率變化獲得所述半導體工藝設備的薄膜沉積速率。上述方案能夠解決半導體工藝設備的薄膜沉積速率檢測難度較大的問題。

技術領域

本發明涉及半導體芯片制造技術領域，尤其涉及一種半導體工藝設備。

背景技術

物理氣相沉積技術在半導體制造領域被廣泛應用，該方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜、分子束外延等，其中，濺射鍍膜被廣泛應用于金屬薄膜制程。濺射鍍膜的基本原理是在高真空的環境下，導入工藝氣體并在電極兩端加上電壓、使氣體產生輝光放電，此時等離子體中的正離子在強電場的作用下撞擊靶材，濺射出靶材金屬原子而沉積到晶片的表面。

為了提高晶片鍍膜的良品率，通常需要對半導體工藝設備的薄膜沉積速率進行檢測，從而能夠獲得半導體工藝設備的穩定狀態，進而有益于半導體工藝設備的穩定運行，

相關技術中，薄膜沉積速率通常采用非原位檢測方法，非原位檢測是指晶片在制備薄膜后，將晶片移入薄膜厚度測量設備進行測量所沉積的薄膜的厚度，進而得到薄膜的沉積速率。

然而，晶片需要轉移至相關設備內進行測量，從而使得檢測薄膜沉積速率所花費的工藝時間較長，工序較為繁瑣，另外晶片轉移過程中容易損壞，致使半導體工藝設備的薄膜沉積速率檢測難度較大。

發明內容

本發明公開一種半導體工藝設備，以解決半導體工藝設備的薄膜沉積速率檢測難度較大的問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

一種半導體工藝設備，包括：

沉積腔室，所述沉積腔室開設有第一通孔；

裝置容納腔室，所述裝置容納腔室通過所述第一通孔與所述沉積腔室相連通；

檢測裝置，所述檢測裝置設置有待檢測件，所述待檢測件設置于所述裝置容納腔室內，所述檢測裝置用于帶動所述待檢測件穿過所述第一通孔伸入所述沉積腔室，并通過檢測所述待檢測件的振動頻率變化獲得所述半導體工藝設備的薄膜沉積速率。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本發明公開的半導體工藝設備中，在半導體工藝設備工作過程中，可以將待檢測件伸入沉積腔室，從而可以對半導體工藝設備的薄膜沉積速率進行檢測，進而實現薄膜沉積速率的原位檢測。此時，晶片無需轉移至相關設備內進行檢測薄膜沉積速率，從而使得檢測薄膜沉積速率所花費的工藝時間較短，工序簡單，另外，晶片無需移動，因此使得晶片不容易受到破壞，進而使得半導體工藝設備的薄膜沉積速率的檢測難度較小。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1～圖3為本發明實施例公開的半導體工藝設備的結構示意圖；

圖4為本發明實施例公開的半導體工藝設備中檢測裝置的結構示意圖；

圖5為本發明實施例公開的半導體工藝設備中檢測裝置的承載部的俯視圖。

附圖標記說明：

100-沉積腔室、110-第一通孔、120-第二通孔；

200-裝置容納腔室；