[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓缺陷檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110205022.1
• 申請(qǐng)日: 2021-02-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113013048A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡坤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭立

本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓缺陷檢測(cè)方法，包括：步驟一、導(dǎo)入晶圓掃描結(jié)果；步驟二、導(dǎo)入機(jī)臺(tái)程式信息，讀取掃描區(qū)域；步驟三、掃描模式判定，如掃描模式判定為非重復(fù)單元，進(jìn)入步驟四；如掃描模式判定為重復(fù)單元，則進(jìn)入步驟六；步驟四、采用正常規(guī)則缺陷采樣；步驟五、正常計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束；步驟六、判斷重復(fù)單元區(qū)域個(gè)數(shù)；步驟七、分區(qū)域缺陷采樣；步驟八、分區(qū)域計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束。本發(fā)明提供的晶圓缺陷檢測(cè)方法，既不浪費(fèi)機(jī)臺(tái)產(chǎn)能，又能提高檢測(cè)缺陷的靈敏度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，更具體地，涉及一種晶圓缺陷檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)針對(duì)晶圓缺陷檢測(cè)通常根據(jù)缺陷的總數(shù)量隨機(jī)采樣，尤其針對(duì)一些微小的缺陷，無(wú)法得到準(zhǔn)確的缺陷數(shù)量。或者為了得到準(zhǔn)確的缺陷數(shù)量，將程式拆成多支，以便得到不同區(qū)域分布的缺陷數(shù)量，但是這大大增加了掃描時(shí)間，降低了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種晶圓缺陷檢測(cè)方法，既不浪費(fèi)機(jī)臺(tái)產(chǎn)能，又能提高檢測(cè)缺陷的靈敏度。

本發(fā)明的晶圓缺陷檢測(cè)方法包括：

步驟一、導(dǎo)入晶圓掃描結(jié)果

步驟二、導(dǎo)入機(jī)臺(tái)程式信息，讀取掃描區(qū)域

步驟三、掃描模式判定，如掃描模式判定為非重復(fù)單元，進(jìn)入步驟四；如掃描模式判定為重復(fù)單元，則進(jìn)入步驟六；

步驟四、采用正常規(guī)則缺陷采樣；

步驟五、正常計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束；

步驟六、判斷重復(fù)單元區(qū)域個(gè)數(shù)；

步驟七、分區(qū)域缺陷采樣；

步驟八、分區(qū)域計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束。

進(jìn)一步，步驟四中所述的正常規(guī)則缺陷采樣為隨機(jī)采樣規(guī)則。

進(jìn)一步，步驟七中所述的分區(qū)域缺陷采樣為陣列采樣規(guī)則。

進(jìn)一步，所述正常計(jì)算缺陷數(shù)量的方法為，缺陷數(shù)量除以移動(dòng)簇的總數(shù)再乘以檢查數(shù)。

進(jìn)一步，所述缺陷為金屬斷線缺陷。

進(jìn)一步，所述重復(fù)單元區(qū)域?yàn)閕個(gè)，i大于等于2。

進(jìn)一步，將所述分區(qū)域計(jì)算缺陷數(shù)量之和計(jì)為總?cè)毕輸?shù)量。

進(jìn)一步，所述每個(gè)區(qū)域的計(jì)算缺陷數(shù)量的方法，該區(qū)域缺陷數(shù)量除以該區(qū)域移動(dòng)簇的總數(shù)再乘以該區(qū)域的檢查數(shù)。

本發(fā)明在不改變掃描方式的情況下，將采樣規(guī)則進(jìn)行改變，在原有的基礎(chǔ)上進(jìn)行一個(gè)掃描方式的判定，對(duì)不同掃描模式進(jìn)行分開(kāi)采樣，可以通過(guò)Klarity缺陷檢測(cè)機(jī)讀取掃描程式來(lái)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)，既節(jié)約了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能，同時(shí)不會(huì)降低缺陷的靈敏度。用此計(jì)算方式缺陷檢查靈敏度與程式拆成多支的方式相近，但不會(huì)降低機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明方法的步驟示意圖。

圖2為掃描區(qū)域及主要缺陷分布圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中將程式拆成多支的缺陷檢測(cè)采樣及計(jì)算方法示意圖。

具體實(shí)施方式

在針對(duì)晶圓缺陷檢測(cè)建立掃描程式時(shí)，首先需要確定缺陷哪些是重復(fù)單元和非重復(fù)單元，來(lái)確定掃描的方式，對(duì)重復(fù)單元如SRAM結(jié)構(gòu)用陣列array模式，對(duì)于非重復(fù)單元用隨機(jī)random模式。在14nm M109研發(fā)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)SRAM194有大量的金屬斷線缺陷，見(jiàn)圖2，但是用傳統(tǒng)的采樣觀察方式只能檢查到極少數(shù)的金屬斷線缺陷，此缺陷極小，而且只能在陣列模式下掃到。