[發(fā)明專利]晶圓缺陷檢測方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110205022.1
• 申請(qǐng)日: 2021-02-24
• 公開（公告）號(hào): CN113013048A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭立

1.一種晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、導(dǎo)入晶圓掃描結(jié)果；

步驟二、導(dǎo)入機(jī)臺(tái)程式信息，讀取掃描區(qū)域；

步驟三、掃描模式判定，如掃描模式判定為非重復(fù)單元，進(jìn)入步驟四；如掃描模式判定為重復(fù)單元，則進(jìn)入步驟六；

步驟四、采用正常規(guī)則缺陷采樣；

步驟五、正常計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束；

步驟六、判斷重復(fù)單元區(qū)域個(gè)數(shù)；

步驟七、分區(qū)域缺陷采樣；

步驟八、分區(qū)域計(jì)算缺陷數(shù)量，然后結(jié)束。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

步驟四中所述的正常規(guī)則缺陷采樣為隨機(jī)采樣規(guī)則。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

步驟七中所述的分區(qū)域缺陷采樣為陣列采樣規(guī)則。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

所述正常計(jì)算缺陷數(shù)量的方法為，缺陷數(shù)量除以移動(dòng)簇的總數(shù)再乘以檢查數(shù)。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

所述缺陷為金屬斷線缺陷。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

所述重復(fù)單元區(qū)域?yàn)閕個(gè)，i大于等于2。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

將所述分區(qū)域計(jì)算缺陷數(shù)量之和計(jì)為總?cè)毕輸?shù)量。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于：

所述每個(gè)區(qū)域的計(jì)算缺陷數(shù)量的方法，該區(qū)域缺陷數(shù)量除以該區(qū)域移動(dòng)簇的總數(shù)再乘以該區(qū)域的檢查數(shù)。