[發明專利]芯片封裝工藝

有效

• 申請號: 202110202756.4
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113161242B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 于上家;蔣忠華;蘇明華;王俊惠
• 申請（專利權）人: 青島歌爾微電子研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種芯片封裝工藝，其特征在于，所述芯片封裝工藝包括如下步驟：

提供一晶圓模組，所述晶圓模組包括晶圓和第一貼膜，所述晶圓具有多個芯片，所述芯片的背面粘接在所述第一貼膜上，所述芯片的正面設置有多個間隔布置的凸點；

提供一膠膜，所述膠膜具有層疊設置的導電膠層和非導電膠層，將所述膠膜貼設于所述芯片的正面，并將所述凸點嵌設于所述非導電膠層內，以使所述凸點與所述導電膠層接觸；

分離各所述芯片，并對應所述凸點將各所述芯片上的所述導電膠層斷開；

將各所述芯片貼裝于基板上，以使所述導電膠層與所述基板的焊盤連接形成導電結構，所述非導電膠層將所述導電結構封裝。

2.如權利要求1所述的芯片封裝工藝，其特征在于，所述提供一膠膜，所述膠膜具有層疊設置的導電膠層和非導電膠層，將所述膠膜貼設于所述芯片的正面，并將所述凸點嵌設于所述非導電膠層內，以使所述凸點與所述導電膠層接觸的步驟包括：

以所述非導電膠層面向所述凸點的方向將所述膠膜貼設于所述芯片的正面；

對所述晶圓進行加熱，所述非導電膠層受熱后流動至任意相鄰的兩個所述凸點之間的間隙內；

壓合所述膠膜與所述晶圓，以使所述凸點嵌設于所述非導電膠層內并與所述導電膠層接觸。

3.如權利要求2所述的芯片封裝工藝，其特征在于，所述對所述晶圓進行加熱，所述非導電膠層受熱后流動至任意相鄰的兩個所述凸點之間的間隙內的步驟包括：

在50℃～150℃的溫度下對所述晶圓持續加熱10s～100s，所述非導電膠層受熱后流動至任意相鄰的兩個所述凸點之間的間隙內并將所述間隙填滿。

4.如權利要求2所述的芯片封裝工藝，其特征在于，所述膠膜還包括第一離型膜層和第二離型膜層，所述第一離型膜層貼設于所述非導電膠層背離所述導電膠層的一面，所述第二離型膜層貼設于所述導電膠層背離所述非導電膠層的一面；

在所述以所述非導電膠層面向所述凸點的方向將所述膠膜貼設于所述芯片的正面的步驟之前，還包括：

將所述第一離型膜層從所述非導電膠層上撕下。

5.如權利要求4所述的芯片封裝工藝，其特征在于，在所述分離各所述芯片，并對應所述凸點將各所述芯片上的所述導電膠層斷開的步驟之后，還包括：

在所述第二離型膜層背離所述導電膠層的一面貼設第二貼膜；

撕下第一貼膜，使得芯片的背面外露；

從所述芯片的背面吸取所述芯片，以使所述芯片上的所述導電膠層與所述第二離型膜層脫離，所述第二離型膜層留在所述第二貼膜上。

6.如權利要求1-5中任一項所述的芯片封裝工藝，其特征在于，所述分離各所述芯片，并對應所述凸點將各所述芯片上的所述導電膠層斷開的步驟包括：

切割所述晶圓，以分離各所述芯片；

切割所述導電膠層，以使所述導電膠層斷開形成多個間隔布置的導電塊，各所述凸點對應設置有一個所述導電塊。

7.如權利要求6所述的芯片封裝工藝，其特征在于，所述切割所述晶圓，以分離各所述芯片的步驟包括：

從所述芯片的正面對所述晶圓進行切割，以使任意相鄰的兩個所述芯片之間形成第一切縫，所述第一切縫貫穿所述晶圓并延伸至所述第一貼膜內；

所述切割所述導電膠層，以使所述導電膠層斷開形成多個間隔布置的導電塊，各所述凸點對應設置有一個所述導電塊的步驟包括：

從所述芯片的正面對所述導電膠層進行切割，以在任意相鄰的兩個導電塊之間形成第二切縫，所述第二切縫貫穿所述導電膠層并延伸至所述導電膠層與所述非導電膠層連接處或延伸至所述非導電膠層內。