[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202110202244.8
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113345787A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 矢幡將二郎;佐藤徹治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種等離子體處理方法和等離子體處理裝置。所述方法用于在等離子體處理裝置中通過等離子體對基板進行處理，所述等離子體處理裝置具備：腔室；上部電極構造，其構成腔室的上部，該上部電極構造具有被進行溫度控制的板、配置于板的下方的電極板以及夾設于電極板與板之間的靜電吸附部，靜電吸附部包括與板的下表面接觸的接觸面、吸附電極板的上表面的吸附面、第一電極以及第二電極；電源，其向第一電極和第二電極施加電壓；以及溫度獲取部，其獲取電極板的溫度分布，所述方法包括：或獲取工序，獲取電極板的溫度分布；施加工序，根據溫度分布向第一電極施加第一電壓并向第二電極施加第二電壓；以及處理工序，通過等離子體對基板進行處理。

技術領域

本公開的例示性的實施方式涉及一種等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術

專利文獻1公開一種等離子體處理裝置的上部電極。上部電極具有電極板以及與電極板接觸的板。電極板的上表面與板的下表面接觸。在電極板與板之間設置有靜電吸附部。靜電吸附部由陶瓷制成，經由夾具被固定于板的下表面。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-216261號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種在對基板進行等離子體處理時能夠靈活地調整上部的電極板的溫度分布的技術。

用于解決問題的方案

在一個例示性的實施方式中，提供一種在等離子體處理裝置中通過等離子體對基板進行處理的方法。等離子體處理裝置具備腔室、上部電極構造、電源以及溫度獲取部。腔室構成為收容基板。上部電極構造構成腔室的上部。上部電極構造具有被進行溫度控制的板、配置于板的下方的電極板以及夾設于電極板與板之間的靜電吸附部。靜電吸附部包括與板的下表面接觸的接觸面、吸附電極板的上表面的吸附面、第一電極以及第二電極。電源構成為向第一電極和第二電極施加電壓。溫度獲取部構成為獲取電極板的溫度分布。該方法包括獲取工序、施加工序以及處理工序。在獲取工序中，通過溫度獲取部來獲取電極板的溫度分布。在施加工序中，根據獲取到的溫度分布向第一電極施加第一電壓并且向第二電極施加第二電壓。在處理工序中，通過等離子體對基板進行處理。

發明的效果

根據一個例示性的實施方式，在對基板進行等離子體處理時能夠靈活地調整上部的電極板的溫度分布。

附圖說明

圖1是一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖2是概要性地示出一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖3是一個例示性的實施方式所涉及的上部電極的截面圖。

圖4是一個例示性的實施方式所涉及的上部電極的截面圖。

圖5是一個例示性的實施方式所涉及的上部電極的截面圖。

圖6是概要性地示出第一電極和第二電極的布局的一例的圖。

圖7的(A)是電極板的溫度分布的一例，圖7的(B)是向靜電吸盤施加的施加電壓的分布的一例。

圖8的(A)是電極板的溫度分布的其它例，圖8的(B)是向靜電吸盤施加的施加電壓的分布的其它例。

圖9的(A)是電極的配置的一例。圖9的(B)是電極的配置的其它例。圖9的(C)是電極的配置的另一例。圖9的(D)是靜電吸盤的主體分離的例子。