[發(fā)明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110202244.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113345787A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 矢幡將二郎;佐藤?gòu)刂?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01J37/32 | 分類號(hào): | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 處理 方法 裝置 | ||
1.一種等離子體處理方法,是在等離子體處理裝置中通過(guò)等離子體對(duì)基板進(jìn)行處理的方法,其中,
所述等離子體處理裝置具備:
腔室,其構(gòu)成為收容所述基板;
上部電極構(gòu)造,其構(gòu)成所述腔室的上部,所述上部電極構(gòu)造具有被進(jìn)行溫度控制的板、配置于所述板的下方的電極板以及夾設(shè)于所述電極板與所述板之間的靜電吸附部,所述靜電吸附部包括與所述板的下表面接觸的接觸面、吸附所述電極板的上表面的吸附面、第一電極以及第二電極;
電源,其構(gòu)成為向所述第一電極和所述第二電極施加電壓;以及
溫度獲取部,其構(gòu)成為獲取所述電極板的溫度分布,
所述等離子體處理方法包括以下工序:
獲取工序,通過(guò)所述溫度獲取部來(lái)獲取所述電極板的所述溫度分布;
施加工序,根據(jù)通過(guò)所述獲取工序獲取到的所述溫度分布向所述第一電極施加第一電壓并且向所述第二電極施加第二電壓;以及
處理工序,通過(guò)等離子體對(duì)所述基板進(jìn)行處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述電極板為圓形,
所述第一電極配置于與所述電極板的中央對(duì)應(yīng)的位置,
所述第二電極以包圍所述第一電極的周?chē)姆绞脚渲谩?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述溫度獲取部包括第一溫度傳感器和第二溫度傳感器,所述第一溫度傳感器檢測(cè)所述電極板的夾設(shè)所述第一電極的位置的溫度,所述第二溫度傳感器檢測(cè)所述電極板的夾設(shè)所述第二電極的位置的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述施加工序包括以下工序:以使所述第一溫度傳感器的檢測(cè)溫度與所述第二溫度傳感器的檢測(cè)溫度之差成為規(guī)定的溫度閾值以下的方式向所述第一電極和所述第二電極施加電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述靜電吸附部具有由電介質(zhì)形成的單一主體,
所述第一電極和所述第二電極設(shè)置于所述單一主體的內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述單一主體由陶瓷構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述單一主體由具有彈性的電介質(zhì)構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述靜電吸附部具有由電介質(zhì)構(gòu)成的第一主體、與所述第一主體分離并且由電介質(zhì)構(gòu)成的第二主體,
所述第一電極設(shè)置于所述第一主體的內(nèi)部,
所述第二電極設(shè)置于所述第二主體的內(nèi)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述第一主體和所述第二主體由陶瓷構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理方法,其特征在于,
所述第一主體和所述第二主體由具有彈性的電介質(zhì)構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理方法,其特征在于,
還包括重復(fù)進(jìn)行所述獲取工序、所述施加工序以及所述處理工序的工序。
12.一種等離子體處理裝置,具備:
腔室;其構(gòu)成為收容基板;
射頻電源,其用于生成等離子體;
上部電極構(gòu)造,其構(gòu)成所述腔室的上部,所述上部電極構(gòu)造具有被進(jìn)行溫度控制的板、配置于所述板的下方的電極板以及夾設(shè)于所述電極板與所述板之間的靜電吸附部,所述靜電吸附部包括與所述板的下表面接觸的接觸面、吸附所述電極板的上表面的吸附面、第一電極以及第二電極;
電源,其構(gòu)成為向所述第一電極和所述第二電極施加電壓;
溫度獲取部,其構(gòu)成為獲取所述電極板的溫度分布;以及
控制部,
其中,所述控制部執(zhí)行包括以下工序的處理:
獲取工序,通過(guò)所述溫度獲取部來(lái)獲取所述電極板的所述溫度分布;
施加工序,控制所述電源,根據(jù)通過(guò)所述獲取工序獲取到的所述溫度分布向所述第一電極施加第一電壓并且向所述第二電極施加第二電壓;以及
處理工序,對(duì)所述基板進(jìn)行等離子體處理。
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