[發明專利]鍺單晶及鍺單晶的熱處理工藝在審
| 申請號： | 202110202067.3 | 申請日： | 2021-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN113073386A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 王博;馮德伸;易見偉;王宇;李燕;馬遠飛;于洪國;林泉;雷同光 | 申請（專利權）人： | 有研光電新材料有限責任公司 |
| 主分類號： | C30B29/08 | 分類號： | C30B29/08;C30B33/02;C22F1/02;C22F1/16 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065001 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍺單晶 熱處理 工藝 | ||
1.一種鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，包括以下步驟：
在惰性氣氛中，對鍺單晶依次進行第一恒溫階段、第一降溫階段、第二恒溫階段、第二降溫階段的處理；
其中，第一恒溫階段為：升溫至750～850℃，然后恒溫保持一定時間；
第一降溫階段為：以一定的速度降溫至450～550℃；
第二恒溫階段為：在450～550℃的條件下恒溫一定時間，并且所述第二恒溫階段的恒溫時間大于所述第一恒溫階段的恒溫時間；
第二降溫階段為：以一定的速度降溫至20～30℃。
2.根據權利要求1所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，在所述第一恒溫階段之前還對所述鍺單晶進行預處理：將直徑≥250mm的鍺單晶截斷成一定厚度的鍺單晶段。
3.根據權利要求1所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述第一降溫階段中的升溫速率為120～180℃/h；所述第一降溫階段和第二降溫階段的降溫速率均為25～35℃/h。
4.根據權利要求1所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述第一恒溫階段的恒溫時間為12～18h。
5.根據權利要求4所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述第一恒溫階段溫度為800±30℃，恒溫時間為15～18h。
6.根據權利要求1或4所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述第二恒溫階段的恒溫時間為80～95h。
7.根據權利要求6所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述第二恒溫階段溫度為500±30℃，恒溫時間為90～95h。
8.根據權利要求1所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述熱處理工藝在常壓下進行，并且通過持續通入氬氣實現所述惰性氣氛。
9.根據權利要求8所述的鍺單晶的熱處理工藝，其特征在于，所述氬氣的通入流量為20～50slpm；所述真空退火爐的溫度控制精度為±0.1℃。
10.一種鍺單晶，其特征在于，采用權利要求1-9任一項所述的鍺單晶的熱處理工藝制備得到，所述鍺單晶的折射指數均勻性Δn≤1*10-4。
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