[發明專利]一種空心結構多級孔道Beta分子篩的制備方法有效
| 申請號： | 202110201464.9 | 申請日： | 2021-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN112919492B | 公開（公告）日： | 2022-03-22 |
| 發明（設計）人： | 卓佐西;鄭渭建;劉春紅;祁志福;胡晨暉;杜凱敏;楊揚 | 申請（專利權）人： | 浙江浙能技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | C01B39/04 | 分類號： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 杭州九洲專利事務所有限公司 33101 | 代理人： | 張羽振 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空心 結構 多級 孔道 beta 分子篩 制備 方法 | ||
1.一種空心結構多級孔道Beta分子篩的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、采用顆粒硅膠、發煙硅膠、硅溶膠和水玻璃中的一種或多種作為硅源，采用偏鋁酸鈉和硫酸鋁中的一種或多種作為鋁源，以四乙基氫氧化銨做結構導向劑，添加高硅鋁比Beta分子篩作為晶種；高硅晶種的硅鋁摩爾比范圍為SiO2/Al2O3≥80；
S2、采用先高溫后低溫分段晶化的方法制備Beta分子篩；所得Beta分子篩硅鋁摩爾比在20~80之間，呈現空心結構，具有多級孔道；高溫段的晶化溫度為160 oC~200 oC，晶化時間為1~48 小時；低溫段的晶化溫度為120 oC~160 oC，晶化時間為1-72小時。
2.如權利要求1所述的空心結構多級孔Beta分子篩的制備方法，其特點在于：所述步驟S1中，高硅鋁比Beta分子篩占合成體系投入硅源質量百分比為5%~100%。
3.如權利要求1所述的空心結構多級孔Beta分子篩的制備方法，其特點在于：高硅晶種的硅鋁摩爾比范圍為SiO2/Al2O3≥100。
4.如權利要求1所述的空心結構多級孔Beta分子篩的制備方法，其特點在于：高溫段的晶化溫度為170 oC~190 oC，晶化時間為5~24小時；低溫段的晶化溫度為130 oC~150 oC，晶化時間為12~48小時。
5.如權利要求1所述的空心結構多級孔道Beta分子篩的制備方法，其特點在于：所述步驟S2中，所得Beta分子篩的合成摩爾配比為：SiO2/Al2O3=20~80，Na2O/SiO2=0.15~0.30，TEAOH/SiO2=0.12~0.30，H2O/SiO2=8~60。
6.如權利要求1所述的空心結構多級孔道Beta分子篩的制備方法，其特點在于：所述步驟S2中，所得Beta分子篩的空心部分大小及殼層厚度通過晶種大小及晶種用量加以控制。
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