[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110200555.0
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113013092B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任興潤
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；

于所述襯底上形成多個間隔分布的第一阻擋結(jié)構(gòu)，相鄰所述第一阻擋結(jié)構(gòu)之間具有暴露所述襯底的第一溝槽結(jié)構(gòu)；

形成初始介質(zhì)層，所述初始介質(zhì)層填充滿所述第一溝槽結(jié)構(gòu)；

去除部分所述初始介質(zhì)層，以形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有第二溝槽結(jié)構(gòu)，所述第二溝槽結(jié)構(gòu)暴露部分所述第一阻擋結(jié)構(gòu)；其中，形成所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的材料的致密度大于形成所述介質(zhì)層的材料的致密度；

形成第二阻擋層，所述第二阻擋層覆蓋所述介質(zhì)層的上表面、所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的底部和所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，在沿所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的徑向方向上，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的寬度小于或者等于所述第二阻擋層的寬度；形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層填充滿所述第二溝槽結(jié)構(gòu)，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)用于避免所述導(dǎo)電層中的導(dǎo)電粒子自所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的角落處的擴散。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，于所述襯底上形成多個間隔分布的第一阻擋結(jié)構(gòu)的步驟包括：

于所述襯底上形成第一阻擋層，所述第一阻擋層覆蓋所述襯底；

于所述第一阻擋層上形成介電層，所述介電層具有第三溝槽結(jié)構(gòu)，且所述第三溝槽結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影與所述第一溝槽結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影重合；

以所述介電層為掩模版刻蝕所述第一阻擋層；

去除所述介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，于所述第一阻擋層上形成介電層的具體步驟包括：

于所述第一阻擋層上形成初始掩膜層，所述初始掩膜層覆蓋所述第一阻擋層；

圖形化所述初始掩膜層，形成掩膜層，所述掩膜層具有第四溝槽結(jié)構(gòu)；

形成初始介電層，所述初始介電層至少覆蓋所述第四溝槽結(jié)構(gòu)的底部及側(cè)壁；

去除所述掩膜層和部分所述初始介電層，保留覆蓋所述第四溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的所述初始介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成初始介電層，所述初始介電層至少覆蓋所述第四溝槽結(jié)構(gòu)的底部及側(cè)壁包括：采用原子層沉積法形成所述初始介電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的材料的介電常數(shù)大于形成所述介質(zhì)層的材料的介電常數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的材料為氮化硅，形成所述介質(zhì)層的材料為氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成所述第二阻擋層的材料包括氮化鈦。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

所述介質(zhì)層覆蓋所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的上表面。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

第一阻擋結(jié)構(gòu)，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)間隔分布于所述襯底上，且相鄰所述第一阻擋結(jié)構(gòu)之間具有暴露所述襯底的第一溝槽結(jié)構(gòu)；

介質(zhì)層，所述介質(zhì)層至少填充滿部分所述第一溝槽結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層具有第二溝槽結(jié)構(gòu)且所述第二溝槽結(jié)構(gòu)暴露部分所述第一阻擋結(jié)構(gòu)；其中，形成所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的材料的致密度大于形成所述介質(zhì)層的材料的致密度；

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層填充滿所述第二溝槽結(jié)構(gòu)，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)用于避免所述導(dǎo)電層中的導(dǎo)電粒子自所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的角落處的擴散；

第二阻擋層，所述第二阻擋層位于所述介質(zhì)層和所述導(dǎo)電層之間且所述第二阻擋層覆蓋所述介質(zhì)層的上表面、所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的底部和所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，在沿所述第二溝槽結(jié)構(gòu)的徑向方向上，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的寬度小于或者等于所述第二阻擋層的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成所述第一阻擋結(jié)構(gòu)的材料的介電常數(shù)大于形成所述介質(zhì)層的材料的介電常數(shù)。