[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110200475.5 | 申請日: | 2021-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN112951964B | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王銳;鄔新根;周弘毅;劉英策;李健 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/36 | 分類號: | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
| 地址: | 361100 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 芯片 及其 制作方法 | ||
本申請實施例公開了一種LED芯片及其制作方法,該LED芯片包括:位于所述襯底上的P型金屬電極和N型金屬電極;所述P型金屬電極包括第一電極層、第一金層、第一鋁層以及第一合金層;所述N型金屬電極包括第二電極層、第二金層、第二鋁層以及第二合金層;其中,所述第一合金層和所述第二合金層均為金?鋁合金層。已知金屬鋁和金?鋁合金均具有很好的抗腐蝕能力,因此位于第一金層上的第一合金層和第一鋁層以及位于第二金層上的第二合金層和第二鋁層能夠避免第一金層和第二金層在鹽霧環(huán)境中發(fā)生電化學(xué)腐蝕,進(jìn)而避免由于所述第一金層和所述第二金層發(fā)生電化學(xué)腐蝕而破壞所述第一金層和所述第二金層上的布線,導(dǎo)致LED芯片失效。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及LED芯片制造領(lǐng)域,尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)
從上世紀(jì)八十年代開始,LED顯示屏由于具有面積延展性好、亮度高、觀看角度廣、色彩還原度高、壽命長、視角大等優(yōu)勢,備受廣大用戶的青睞,并得到了迅速的發(fā)展,在短短的幾十年中已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步。但是現(xiàn)有LED顯示屏中的LED芯片,處于持續(xù)的鹽霧環(huán)境中時,LED芯片電極中的金層會發(fā)生電化學(xué)腐蝕,導(dǎo)致LED芯片失效。因此,提供一種能夠有效避免LED芯片電極中的金層發(fā)生電化學(xué)腐蝕的LED芯片,成為本領(lǐng)域技術(shù)人員的研究重點。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本申請實施例提供了一種LED芯片,該LED芯片能夠有效避免LED芯片電極中的金層發(fā)生電化學(xué)腐蝕。
為解決上述問題,本申請實施例提供了如下技術(shù)方案:
一種LED芯片,該LED芯片包括:
襯底;
位于所述襯底上的P型金屬電極和N型金屬電極;
所述P型金屬電極包括背離所述襯底一側(cè)依次排布的第一電極層、第一金層、第一鋁層以及位于所述第一金層與所述第一鋁層之間的第一合金層;
所述N型金屬電極包括背離所述襯底一側(cè)依次排布的第二電極層、第二金層、第二鋁層以及位于所述第二金層與所述第二鋁層之間的第二合金層;
其中,所述第一合金層和所述第二合金層均為金-鋁合金層。
可選的,還包括:
位于所述襯底上的外延結(jié)構(gòu),所述外延結(jié)構(gòu)包括背離所述襯底一側(cè)依次排布的N型層、有源層、P型層,所述有源層裸露所述N型層部分表面,所述P型層覆蓋所述有源層;
其中,所述P型金屬電極位于所述P型層背離所述有源層一側(cè),與所述P型層電連接,所述N型金屬電極位于所述N型層裸露部分表面,與所述N型層電連接。
可選的,還包括:
位于所述P型層背離所述襯底一側(cè)的透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層覆蓋所述P型層的預(yù)設(shè)區(qū)域,所述P型層的預(yù)設(shè)區(qū)域為所述P型層表面除去中間區(qū)域以外的邊緣區(qū)域;
其中,所述P型金屬電極位于所述透明導(dǎo)電層背離所述襯底一側(cè)。
可選的,還包括:絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述LED芯片表面除去所述P型金屬電極表面和所述N型金屬電極表面的部分。
本申請實施例還提供了一種LED芯片的制作方法,該方法包括:
提供一襯底;
在所述襯底上形成P型金屬電極和N型金屬電極;
所述P型金屬電極包括背離所述襯底一側(cè)依次排布的第一電極層、第一金層、第一鋁層,所述N型金屬電極包括背離所述襯底一側(cè)依次排布的第二電極層、第二金層、第二鋁層;
利用高溫退火工藝,在所述第一金層和所述第一鋁層之間形成第一合金層,在所述第二金層和所述第二鋁層之間形成第二合金層;
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