[發明專利]一種LED芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202110200475.5
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN112951964B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 王銳;鄔新根;周弘毅;劉英策;李健
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 尹秀

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的P型金屬電極和N型金屬電極；

所述P型金屬電極包括背離所述襯底一側依次排布的第一電極層、第一金層、第一鋁層以及位于所述第一金層與所述第一鋁層之間的第一合金層；

所述N型金屬電極包括背離所述襯底一側依次排布的第二電極層、第二金層、第二鋁層以及位于所述第二金層與所述第二鋁層之間的第二合金層；

其中，所述第一合金層和所述第二合金層均為金-鋁合金層，所述第一電極層和所述第二電極層為不同金屬層疊加而成的多層異質金屬層。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：

位于所述襯底上的外延結構，所述外延結構包括背離所述襯底一側依次排布的N型層、有源層、P型層，所述有源層裸露所述N型層部分表面，所述P型層覆蓋所述有源層；

其中，所述P型金屬電極位于所述P型層背離所述有源層一側，與所述P型層電連接，所述N型金屬電極位于所述N型層裸露部分表面，與所述N型層電連接。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，還包括：

透明導電層，所述透明導電層位于所述P型層背離所述襯底一側，并覆蓋所述P型層的預設區域，所述P型層的預設區域為所述P型層表面除去中間區域以外的邊緣區域；

其中，所述P型金屬電極位于所述透明導電層背離所述襯底一側。

4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述LED芯片表面除去所述P型金屬電極表面和所述N型金屬電極表面的部分。

5.一種LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成P型金屬電極和N型金屬電極；

所述P型金屬電極包括背離所述襯底一側依次排布的第一電極層、第一金層、第一鋁層，所述N型金屬電極包括背離所述襯底一側依次排布的第二電極層、第二金層、第二鋁層；

利用高溫退火工藝，在所述第一金層和所述第一鋁層之間形成第一合金層，在所述第二金層和所述第二鋁層之間形成第二合金層；

其中，所述第一合金層和所述第二合金層均為金-鋁合金層，所述第一電極層和所述第二電極層為不同金屬層疊加而成的多層異質金屬層。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述P型金屬電極和所述N型金屬電極之前，該方法還包括：

在所述襯底上形成外延結構，所述外延結構包括背離所述襯底一側依次排布的N型層、有源層、P型層，所述有源層裸露所述N型層部分表面，所述P型層覆蓋所述有源層；

其中，所述P型金屬電極位于所述P型層背離所述有源層一側，與所述P型層電連接，所述N型金屬電極位于所述N型層裸露部分表面，與所述N型層電連接。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，該方法還包括：

形成透明導電層，所述透明導電層位于所述P型層背離所述襯底一側，覆蓋所述P型層的預設區域，所述P型層的預設區域為所述P型層表面除中間區域以外的邊緣區域；

其中，所述P型金屬電極位于所述透明導電層背離所述襯底一側。

8.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述P型金屬電極和所述N型金屬電極之后，該方法還包括：

形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述LED芯片表面除去所述P型金屬電極表面和所述N型金屬電極表面的部分。