[發(fā)明專利]一種噴嘴表面的鍍膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110198802.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114959557A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡詠兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/02 | 分類號(hào): | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/34;C23C4/123;C23C4/08 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 523087 *** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 噴嘴 表面 鍍膜 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種噴嘴表面的鍍膜方法,包括:將噴嘴置于真空室內(nèi),控制真空室內(nèi)的氣壓穩(wěn)定在0.5Pa,溫度穩(wěn)定在300℃,并以第一預(yù)設(shè)流量向真空室內(nèi)通入氬氣;啟動(dòng)平面碳靶,將控制電源的功率調(diào)整至5kW,在噴嘴的表面進(jìn)行第一次濺射,形成碳過渡層;將真空室內(nèi)的溫度調(diào)整至500℃,將控制電源的功率調(diào)整至10kW,向噴嘴施加?200V的偏壓,在碳過渡層的表面進(jìn)行第二次濺射,形成摻雜碳的類金剛石鍍膜層;將通入的氬氣流量增加至第二預(yù)設(shè)流量,向噴嘴施加?400V的偏壓,啟動(dòng)柱弧鉻靶,在類金剛石鍍膜層的表面進(jìn)行第三次濺射,形成鉻層。本發(fā)明能夠更好的控制噴嘴噴出的液體錫球的形成,從而避免焊接后的焊點(diǎn)脫落,并且能夠有效防止液體錫附著在噴嘴表面。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種噴嘴表面的鍍膜方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體焊接過程中,通常使用噴嘴將熔化的液體錫噴到焊點(diǎn)上,從而完成焊接的過程。
但是,在實(shí)際進(jìn)行焊接時(shí),噴嘴噴出的液體錫一般無法形成球狀,使得焊點(diǎn)出現(xiàn)不均勻、不飽滿的情況,從而導(dǎo)致焊接后的焊點(diǎn)容易脫落,并且噴嘴的內(nèi)外表面多被錫附著,給噴嘴清潔帶來了麻煩。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種噴嘴表面的鍍膜方法,能夠更好的控制噴嘴噴出的液體錫球的形成,從而避免焊接后的焊點(diǎn)脫落,并且能夠有效防止液體錫附著在噴嘴表面。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種噴嘴表面的鍍膜方法,包括:
將噴嘴置于真空室內(nèi),控制真空室內(nèi)的氣壓穩(wěn)定在0.5Pa,溫度穩(wěn)定在300℃,并以第一預(yù)設(shè)流量向真空室內(nèi)通入氬氣;
啟動(dòng)平面碳靶,將平面碳靶的控制電源的功率調(diào)整至5kW,在噴嘴的表面進(jìn)行第一次濺射,相應(yīng)形成碳過渡層;
將真空室內(nèi)的溫度調(diào)整至500℃,將平面碳靶的控制電源的功率調(diào)整至10kW,向噴嘴施加-200V的偏壓,在碳過渡層的表面進(jìn)行第二次濺射,相應(yīng)形成摻雜碳的類金剛石鍍膜層;
將通入的氬氣流量增加至第二預(yù)設(shè)流量,向噴嘴施加-400V的偏壓,啟動(dòng)柱弧鉻靶,在類金剛石鍍膜層的表面進(jìn)行第三次濺射,相應(yīng)形成鉻層;其中,柱弧電流為50A。
進(jìn)一步地,所述第一預(yù)設(shè)流量為10mL/min。
進(jìn)一步地,所述第二預(yù)設(shè)流量為50mL/min。
進(jìn)一步地,第一次濺射的濺射時(shí)間為5min~8min。
進(jìn)一步地,第二次濺射的濺射時(shí)間為24min~45min。
進(jìn)一步地,第三次濺射的濺射時(shí)間為30min。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種噴嘴表面的鍍膜方法,將噴嘴置于真空室內(nèi),控制真空室內(nèi)的氣壓穩(wěn)定在0.5Pa,溫度穩(wěn)定在300℃,并以第一預(yù)設(shè)流量向真空室內(nèi)通入氬氣;啟動(dòng)平面碳靶,將平面碳靶的控制電源的功率調(diào)整至5kW,在噴嘴的表面進(jìn)行第一次濺射,相應(yīng)形成碳過渡層;將真空室內(nèi)的溫度調(diào)整至500℃,將平面碳靶的控制電源的功率調(diào)整至10kW,向噴嘴施加-200V的偏壓,在碳過渡層的表面進(jìn)行第二次濺射,相應(yīng)形成摻雜碳的類金剛石鍍膜層;將通入的氬氣流量增加至第二預(yù)設(shè)流量,向噴嘴施加-400V的偏壓,啟動(dòng)柱弧鉻靶,在類金剛石鍍膜層的表面進(jìn)行第三次濺射,相應(yīng)形成鉻層;其中,柱弧電流為50A;通過對(duì)噴嘴表面進(jìn)行鍍膜,從而能夠更好的控制噴嘴噴出的液體錫球的形成,從而避免焊接后的焊點(diǎn)脫落,并且能夠有效防止液體錫附著在噴嘴表面。
附圖說明
圖1是本發(fā)明提供的一種噴嘴表面的鍍膜方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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