[發明專利]半導體器件、半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110197939.1
• 申請日: 2021-02-22
• 公開（公告）號: CN113299733A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 黃懋霖;朱龍琨;徐崇威;余佳霓;江國誠;程冠倫;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

鰭結構，位于襯底上方；

豎直堆疊的硅納米結構，設置在所述鰭結構上方；

隔離結構，設置在所述鰭結構周圍；

含鍺界面層，包圍在每一個豎直堆疊的硅納米結構周圍；

柵極介電層，包圍在所述含鍺界面層周圍；以及

柵電極層，包圍在所述柵極介電層周圍。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

位于所述含鍺界面層和每一個豎直堆疊的硅納米結構之間的硅鍺層。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述含鍺界面層包括氧化硅鍺、氧化鍺或摻雜鍺的氧化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述含鍺界面層設置在所述鰭結構上。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，還包括：

位于所述含鍺界面層和所述鰭結構之間的硅鍺層。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

與所述豎直堆疊的硅納米結構交錯的內部間隔件部件，

其中，所述含鍺界面層與所述內部間隔件部件接觸。

7.一種半導體器件，包括：

p型晶體管，包括：

第一鰭結構，位于襯底上方，

第一多個硅納米結構，設置在所述第一鰭結構上方，

第一界面層，包圍在每一個第一多個硅納米結構周圍，

柵極介電層，包圍在所述第一界面層周圍，和

柵電極層，包圍在所述柵極介電層周圍；以及

n型晶體管，包括：

第二鰭結構，位于所述襯底上方，

第二多個硅納米結構，設置在所述第二鰭結構上方，

第二界面層，包圍在每一個第二多個硅納米結構周圍并與之接觸，

柵極介電層，包圍在所述第二界面層周圍，和

柵電極層，包圍在所述柵極介電層周圍，

其中，所述第一界面層的組成不同于所述第二界面層的組成。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第一界面層包括鍺，并且所述第二界面層不含鍺。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：

位于所述第一界面層和所述第一多個硅納米結構之間的硅鍺層。

10.一種形成半導體結構的方法，包括：

在襯底上方交替堆疊第一外延層和第二外延層以形成半導體堆疊件；

圖案化所述半導體堆疊件以形成鰭；

從所述第二外延層去除所述鰭的第一外延層以形成納米結構；

形成包圍在所述納米結構周圍的含鍺覆層；

執行預清潔工藝以將至少部分含鍺覆層轉化為含鍺界面層；

沉積包圍在所述含鍺界面層周圍的柵極介電層；以及

在所述柵極介電層上方形成柵電極層。