[發明專利]具有器件輔助圖形的版圖的OPC修正方法

在審

• 申請號: 202110196852.2
• 申請日: 2021-02-22
• 公開（公告）號: CN112987489A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 陳燕鵬;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發明公開了一種具有器件輔助圖形的版圖的OPC修正方法，包括：步驟一、提供具有器件輔助圖形的初始版圖，在器件輔助圖形中選取特征器件輔助圖形，在初始版圖中截取包含了所選取的特征器件輔助圖形的特征子版圖，對特征子版圖進行OPC修正形成掩模板子圖層；步驟二、對初始版圖中的特征器件輔助圖形進行圖形匹配并將匹配到的特征輔助圖形都替換為掩模板子圖層并生成第一掩模板圖層；步驟三、對初始版圖中和第一掩模板圖層未接觸的主圖形和器件輔助圖形進行OPC修正形成第二掩模板圖層，將第一掩模板圖層和所述第二掩模版圖層進行合并形成最終掩模板圖層。本發明能簡化器件輔助圖形的OPC修正過程并同時保證OPC修正的準確性。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路制造方法，特別涉及一種具有器件輔助圖形(Device Assist Feature，DAF)的版圖的光學鄰近效應修正(Optical ProximityCorrection，OPC)方法。

背景技術

在集成電路版圖設計中，器件輔助圖形(DAF)的尺寸和間距通常與版圖主要圖形一致，需要進行OPC修正，在有些版圖中，為滿足干刻和化學機械研磨工藝的要求，保證掩模板上版圖的密度，及主圖形周圍的圖形密度，需要添加大量的器件輔助圖形，且有些情況會使用器件輔助圖形完全替代冗余圖形，使得版圖中存在大面積的需要進行OPC修正的器件輔助圖形。大面積的器件輔助圖形會消耗大量OPC的運算時間。器件輔助圖形和正常的版圖主圖形一樣，OPC修改包括如下過程：

經過OPC運算即進行基于規則(Rule-based)的OPC運算，生成OPC目標層；

對器件輔助圖形添加亞曝光輔助圖形(SRAF)；

基于OPC模型對器件輔助圖形進行運算即進行基于模型(model-based)的OPC運算，生成掩模板層(MASK)。運算量及運算時間與器件輔助圖形的面積呈線性關系。

器件輔助圖形本身并不具備器件性能，且在版圖中的排布通常較單一，特別是大量起填充版圖作用的器件輔助圖形，尺寸和間距通常較大，OPC修正后的亞曝光輔助圖形層和掩模板層也通常較簡單。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種具有器件輔助圖形的版圖的OPC修正方法，能簡化器件輔助圖形的OPC修正過程并同時保證OPC修正的準確性，能大大縮短OPC運算時間，節省集成電路研發和制造成本。

為解決上述技術問題，本發明提供的具有器件輔助圖形的版圖的OPC修正方法包括如下步驟：

步驟一、提供具有器件輔助圖形的初始版圖，在所述器件輔助圖形中選取特征器件輔助圖形，在所述初始版圖中截取包含了所選取的所述特征器件輔助圖形的特征子版圖，對所述特征子版圖進行OPC修正形成掩模板子圖層。

步驟二、對所述初始版圖中的所述特征器件輔助圖形進行圖形匹配并將匹配到的所述特征輔助圖形都替換為所述掩模板子圖層并生成第一掩模板圖層。

步驟三、對所述初始版圖中和所述第一掩模板圖層未接觸的主圖形和所述器件輔助圖形進行OPC修正形成第二掩模板圖層，將所述第一掩模板圖層和所述第二掩模版圖層進行合并形成最終掩模板圖層。

進一步的改進是，步驟一中的所述特征器件輔助圖形包括一類以上，每一類特征對應的所述特征器件輔助圖形都形成和特征類型相對應的所述掩模板子圖層和所述第一掩模板圖層。

步驟三中，將各特征類型對應的所述第一掩模板圖層和所述第二掩模版圖層一起進行合并形成所述最終掩模板圖層。

進一步的改進是，步驟一中所述特征器件輔助圖形的所選取方法包括：

將在所述初始版圖中大量重復放置的所述器件輔助圖形選擇為所述特征器件輔助圖形。

進一步的改進是，步驟一中，所述特征子版圖的截取方法為：