[發明專利]一種多芯片封裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 202110195619.2
• 申請日: 2021-02-22
• 公開（公告）號: CN113035724B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 江京;樊嘉杰;張國旗
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/50;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/367;H01L25/07
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 王潔平

1.一種多芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，具體步驟如下：

第一介質層（301）和第二介質層（302）上的導電層，可采用直接壓合、涂布方式制作第七導電層（303）第八導電層（304），也可以第一介質層（301）、第二介質層（302）孔化后直接金屬化制作第三導電層（501）第四導電層（502）

步驟1：提供圖形化的第一金屬基板（101）和第二金屬基板 (102)；

步驟2：在第一金屬基板（101）和第二金屬基板(102)上分別制作第一導電層（201）和第二導電層（202），在第一導電層（201）和第二導電層（202）上分別放置第一芯片（203）和第二芯片（204）；

步驟3：基于第一金屬基板（101）、第一導電層（201）側邊和第一芯片（203）制作第一介質層（301），基于第二金屬基板（102）、第二導電層（202）側邊和第二芯片（204）制作第二介質層（302）；

步驟4：在第一芯片（203）和第二芯片（204）的正上方開孔；

步驟5：在第一介質層（301）和第二介質層（302）完成開孔后孔內壁及第一介質層（301）和第二介質層（302）上表面進行金屬化，分別制作第三導電層（501）和第四導電層（502）；

步驟6：通過化學及物理腐蝕方式，將第三導電層（501）和第四導電層（502）進行圖形化，露出部分第一介質層（301）和第二介質層（302）；

步驟7：將第一金屬基板 (101)、第一導電層（201）、第一芯片（203）、第三導電層（501）進行倒置放置，在第三導電層（501）及第四導電層（502）間制作第三介質層（701）；

步驟8：模塊制作貫穿孔，將第一金屬基板 (101)和第二金屬基板（102）、第三導電層（501）和第四導電層（502）、第一介質層（301）、第二介質層（302）及第三介質層（701）貫穿；

步驟9：將貫穿孔及第一金屬基板 (101)、第二金屬基板（102）表面金屬化，分別制作第五導電層（901）和第六導電層（902），另外兩導電層與第一金屬基板 (101)、第二金屬基板（102）表面及側邊、第三導電層（501）、第四導電層（502）側邊，第一介質層（301）、第二介質層（302）側邊及第三介質層（701）側邊接觸；孔內全部填充金屬化或側壁金屬化中間非金屬化制作；

步驟10：將第五導電層（901）和第六導電層（902）圖形化，露出部分第一介質層（301）和第二介質層（302），完成模塊邏輯制作。