[發明專利]一種多晶硅錠雜質層截除裝置

有效

• 申請號: 202110193882.8
• 申請日: 2021-02-20
• 公開（公告）號: CN113001796B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 饒森林;熊含夢;張發云;羅玉峰;王發輝;胡云;何亮;鄒貴付;謝宇
• 申請（專利權）人: 新余學院
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B28D7/02;B28D7/00
• 代理公司: 蕪湖宸澤知識產權代理事務所(普通合伙) 34208
• 代理人: 李俊建

本發明公開了一種多晶硅錠雜質層截除裝置，屬于多晶硅錠除雜技術領域，其技術方案要點是，包括夾具，用于夾持多晶硅錠；切割機構，用于對多晶硅錠上的雜質層進行切割；夾具可拆卸設置在切割機構的一側，且夾具可沿著切割機構的前后方向進行滑動；其中，夾具包括有立板，立板的中部設有開口，立板靠近切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有可沿豎直方向進行伸縮活動的伸縮機構，伸縮機構的伸縮活動端上安裝有壓板，立板遠離切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有頂板，立板的底部支撐設置有底座。該種多晶硅錠雜質層截除裝置十分便于多晶硅錠的上下料，整個過程方便省力，無需借助額外的搬運抬升工具，且安全性高。

技術領域

本發明涉及多晶硅錠除雜技術領域，具體為一種多晶硅錠雜質層截除裝置。

背景技術

太陽能光伏產業作為一種高新技術產業在近些年發展迅速，在各類太陽能電池中，晶體硅(單晶、多晶)太陽能電池占有極其重要的地位，目前占據了光伏市場75％以上的份額。太陽能光伏產業的發展依賴于對多晶硅原料的提純。在對多晶硅原料進行提純的過程中，存在一個關鍵的、必不可少的環節，就是對多晶硅原料進行定向凝固提純，所用到的定向凝固技術廣泛應用于冶金提純領域。利用多晶硅原料中硅與雜質之間的分凝系數存在較大差異的這一特點，在凝固過程中，坩堝底端的硅液首先開始凝固，為達到分凝平衡，分凝系數小的雜質從凝固的硅中向液態不斷擴散分離出來而聚集在液態，隨著凝固不斷進行，雜質在液態中的濃度越來越高，最后凝固成型為一個包含多晶硅層和雜質層的多晶硅錠，其中雜質層凝固在多晶硅層的頂端，凝固完成后在較高溫度下保溫一段時間，使各成分充分擴散以達到分凝平衡，最后將雜質層切除，得到提純的多晶硅。多晶硅錠凝固成型之后，需要將其從坩堝中取出，再對其雜質層進行截除，由于多晶硅錠的質量往往比較大，且切割臺往往也比較高，因此傳統多晶硅錠雜質層截除裝置無論是將待切割的多晶硅錠搬運至切割臺上，還是從切割臺上將已切好的多晶硅錠搬走，都需要花費很大的力氣，有的甚至需要借助專門的搬運抬升工具，費時費力，造成諸多不便，且產生了一定的安全隱患。

發明內容

本發明的目的是提供一種多晶硅錠雜質層截除裝置，以解決上述問題。

本發明的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：一種多晶硅錠雜質層截除裝置，用于截除多晶硅錠上的雜質層，包括夾具，用于夾持所述多晶硅錠；切割機構，用于對所述多晶硅錠上的所述雜質層進行切割；所述夾具可拆卸設置在所述切割機構的一側，且所述夾具可沿著所述切割機構的前后方向進行滑動；其中，所述夾具包括有立板，所述立板的中部設有開口，所述立板靠近所述切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有可沿豎直方向進行伸縮活動的伸縮機構，所述伸縮機構的伸縮活動端上安裝有壓板，所述立板遠離所述切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有頂板，所述立板的底部支撐設置有底座，所述底座與所述頂板之間設有絲桿傳動機構，所述絲桿傳動機構上活動設置有用于承放所述多晶硅錠的承板，所述承板通過所述絲桿傳動機構的驅動可進行升降運動，所述承板遠離所述絲桿傳動機構的一端從所述立板的開口內穿過，所述承板與所述壓板擠壓配合。

進一步的，所述夾具還包括有第一把手和第一行進機構，所述第一把手設在所述頂板上，所述第一行進機構設在所述底座的底部。

進一步的，所述切割機構包括有切割臺，所述切割臺頂部遠離所述夾具的一側設有限位凸起，所述限位凸起頂部的一端設有安裝架，所述安裝架上設有切割線，所述夾具與所述切割機構組合在一起之后，所述承板放置在所述切割臺的頂部，且所述承板的端部與所述限位凸起相抵靠，并且所述承板的上端面與所述限位凸起的上端面齊平。

進一步的，所述多晶硅錠雜質層截除裝置還包括有廢料收集機構，用于收集從所述多晶硅錠上切割下來的所述雜質層，所述廢料收集機構可拆卸設置在所述切割機構遠離所述夾具的一側，且所述廢料收集機構可沿著所述切割機構的前后方向進行滑動。

進一步的，所述廢料收集機構包括有箱體，所述箱體呈頂部開口的槽狀結構，且其頂部開口的高度等于或低于所述限位凸起的高度，從所述多晶硅錠上切割下來的所述雜質層將掉入所述箱體內。