[發明專利]一種多晶硅錠雜質層截除裝置

有效

• 申請號: 202110193882.8
• 申請日: 2021-02-20
• 公開（公告）號: CN113001796B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 饒森林;熊含夢;張發云;羅玉峰;王發輝;胡云;何亮;鄒貴付;謝宇
• 申請（專利權）人: 新余學院
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B28D7/02;B28D7/00
• 代理公司: 蕪湖宸澤知識產權代理事務所(普通合伙) 34208
• 代理人: 李俊建

1.一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于，所述多晶硅錠雜質層截除裝置用于截除多晶硅錠（11）上的雜質層（12），包括：

夾具，用于夾持所述多晶硅錠（11）；

切割機構，用于對所述多晶硅錠（11）上的所述雜質層（12）進行切割；

所述夾具可拆卸設置在所述切割機構的一側，且所述夾具可沿著所述切割機構的前后方向進行滑動；

其中，所述夾具包括有立板（1），所述立板（1）的中部設有開口，所述立板（1）靠近所述切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有可沿豎直方向進行伸縮活動的伸縮機構（2），所述伸縮機構（2）的伸縮活動端上安裝有壓板（3），所述立板（1）遠離所述切割機構一側且位于其開口上方的位置處設有頂板（4），所述立板（1）的底部支撐設置有底座（8），所述底座（8）與所述頂板（4）之間設有絲桿傳動機構（6），所述絲桿傳動機構（6）上活動設置有用于承放所述多晶硅錠（11）的承板（7），所述承板（7）通過所述絲桿傳動機構（6）的驅動可進行升降運動，所述承板（7）遠離所述絲桿傳動機構（6）的一端從所述立板（1）的開口內穿過，所述承板（7）與所述壓板（3）擠壓配合；

所述多晶硅錠（11）完成上料之后，所述夾具與所述切割機構組裝在一起，此時的所述立板（1）緊貼所述切割臺（13）的側壁，所述承板（7）放置在所述切割臺（13）的頂部，且所述承板（7）的端部與限位凸起（14）相抵靠，并且所述承板（7）的上端面與限位凸起（14）的上端面齊平，此時可水平微調多所述晶硅錠（11）的位置，使所述多晶硅錠（11）與所述雜質層（12）的交界位置對準切割線（16），對準之后通過所述伸縮機構（2）調節所述壓板（3）下壓，由此借助所述壓板（3）與所述承板（7）來將所述多晶硅錠（11）夾緊固定，接著推動整個夾具朝著切割線（16）的方向移動，借助切割線（16）將所述多晶硅錠（11）的所述雜質層（12）切下；

所述多晶硅錠雜質層截除裝置還包括有廢料收集機構，用于收集從所述多晶硅錠（11）上切割下來的所述雜質層（12），所述廢料收集機構可拆卸設置在所述切割機構遠離所述夾具的一側，且所述廢料收集機構可沿著所述切割機構的前后方向進行滑動；

所述廢料收集機構包括有箱體（19），所述箱體（19）呈頂部開口的槽狀結構，且其頂部開口的高度等于或低于所述限位凸起（14）的高度，從所述多晶硅錠（11）上切割下來的所述雜質層（12）將掉入所述箱體（19）內；

所述底座（8）和所述切割臺（13）相互靠近的一側分別設有可滑動配合的第一滑槽（10）和第一滑條（17），所述箱體（19）與所述切割臺（13）相互靠近的一側分別設有可滑動配合的第二滑槽（20）和第二滑條（18）。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于：所述夾具還包括有第一把手（5）和第一行進機構（9），所述第一把手（5）設在所述頂板（4）上，所述第一行進機構（9）設在所述底座（8）的底部。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于：所述切割機構包括有切割臺（13），所述切割臺（13）頂部遠離所述夾具的一側設有限位凸起（14），所述限位凸起（14）頂部的一端設有安裝架（15），所述安裝架（15）上設有切割線（16），所述夾具與所述切割機構組合在一起之后，所述承板（7）放置在所述切割臺（13）的頂部，且所述承板（7）的端部與所述限位凸起（14）相抵靠，并且所述承板（7）的上端面與所述限位凸起（14）的上端面齊平。

4.根據權利要求1所述的一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于：所述廢料收集機構還包括有第二行進機構（21）和第二把手（23），所述第二行進機構（21）設在所述箱體（19）的底部，所述第二把手（23）設在所述箱體（19）的外側壁。

5.根據權利要求1所述的一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于：所述箱體（19）的開口處覆蓋設置有柔性遮擋（22），所述柔性遮擋（22）上開設有若干條形縫。

6.根據權利要求1所述的一種多晶硅錠雜質層截除裝置，其特征在于：所述第一滑槽（10）、所述第一滑條（17）、所述第二滑條（18）以及所述第二滑槽（20）均呈T型。