[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110191914.0
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN112992850A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許峰誠;洪瑞斌;鄭心圃
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/10;H01L27/108;H01L21/78;H01L21/60;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明提供了半導(dǎo)體封裝件，包括具有有源表面的第一半導(dǎo)體管芯層、電連接至有源表面的導(dǎo)電接觸件，導(dǎo)電接觸件的側(cè)壁由絕緣層圍繞，以及連接至導(dǎo)電接觸件的焊料凸塊。晶種層位于導(dǎo)電接觸件的側(cè)壁和絕緣層之間。本發(fā)明提供了用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括提供載體，在載體上方形成絕緣層，將載體從絕緣層脫粘并且通過蝕刻操作從絕緣層暴露導(dǎo)電接觸件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件用于諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其它電子設(shè)備的各種電子應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件的制造涉及在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層以及使用光刻和蝕刻工藝圖案化各個(gè)材料層以在半導(dǎo)體襯底上形成電路組件和元件。

半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸持續(xù)地改進(jìn)各個(gè)電組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定的區(qū)域。輸入和輸出(I/O)連接件的數(shù)量顯著增加。開發(fā)利用更小的面積或更小的高度的更小的封裝結(jié)構(gòu)來封裝半導(dǎo)體器件。例如，為了進(jìn)一步增加電路密度，已經(jīng)對三維(3D)IC進(jìn)行了研究。

已經(jīng)開發(fā)了新的封裝技術(shù)來改進(jìn)半導(dǎo)體器件的密度和功能。這些用于半導(dǎo)體器件的新型的封裝技術(shù)面臨著制造挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括：第一半導(dǎo)體管芯層，具有有源表面；導(dǎo)電接觸件，電連接至所述有源表面，所述導(dǎo)電接觸件的側(cè)壁由絕緣層圍繞；以及焊料凸塊，連接至所述導(dǎo)電接觸件，其中，晶種層位于所述導(dǎo)電接觸件的所述側(cè)壁和所述絕緣層之間。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，包括：提供載體；在所述載體上方形成絕緣層；在所述絕緣層上方形成第一半導(dǎo)體管芯層，包括：在所述絕緣層中形成淺溝槽；在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件；和在所述絕緣層上方放置第一半導(dǎo)體管芯；將所述載體從所述絕緣層脫粘；以及通過蝕刻操作從所述絕緣層暴露所述導(dǎo)電接觸件。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，包括：提供載體；在所述載體上方形成第一半導(dǎo)體管芯層，包括：在所述載體上方形成第一聚合物層；在所述第一聚合物層中形成淺溝槽；在所述淺溝槽中形成導(dǎo)電接觸件；和在所述第一聚合物層上方放置第一半導(dǎo)體管芯；將所述載體從所述第一聚合物層脫粘；以及通過蝕刻操作從所述第一聚合物層暴露所述導(dǎo)電接觸件。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的局部放大的截面圖；

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；

圖7A至圖7H示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法的順序的截面圖；以及

圖8A至圖8H示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法的順序的截面圖。

具體實(shí)施方式