[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110191914.0
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN112992850A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 許峰誠;洪瑞斌;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/10;H01L27/108;H01L21/78;H01L21/60;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體管芯層，具有有源表面；

導電接觸件，通過再分布層電連接至所述有源表面，所述導電接觸件的側壁由絕緣層圍繞；以及

焊料凸塊，連接至所述導電接觸件，

其中，晶種層位于所述導電接觸件的所述側壁和所述絕緣層之間，其中，所述再分布層與所述絕緣層位于所述導電接觸件的相對兩側，所述再分布層中的第一金屬線的一部分與所述導電接觸件縱向上重疊，所述第一金屬線的另一部分與所述有源表面縱向上重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述導電接觸件還包括從所述絕緣層突出并且連接至所述焊料凸塊的臺狀件。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述導電接觸件包括絕緣通孔(TIV)。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，還包括第二半導體管芯層，通過位于所述第一半導體管芯層的無源表面上方的所述焊料凸塊電連接至所述導電接觸件。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述第二半導體管芯層包括動態隨機存取存儲器(DRAM)。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述側壁包括錐形。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一半導體管芯層包括芯片上硅(SOC)管芯。

8.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體管芯層，具有有源表面；

導電接觸件，通過RDL電連接至所述有源表面，所述導電接觸件的側壁由絕緣層圍繞；以及

焊料凸塊，連接至所述導電接觸件，

其中，晶種層位于所述導電接觸件的所述側壁和所述絕緣層之間，

其中，所述導電接觸件包括再分布層(RDL)的第一通孔，

所述第一通孔與所述有源表面位于所述第一半導體管芯層的同一側，并且所述第一通孔與所述有源表面在縱向上重疊。

9.一種用于制造半導體封裝件的方法，包括：

提供載體；

在所述載體上方形成絕緣層；

在所述絕緣層上方形成第一半導體管芯層，包括：

在所述絕緣層中形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中形成導電接觸件；和

在所述絕緣層上方放置第一半導體管芯，在所述第一半導體管芯上方形成再分布層；

將所述載體從所述絕緣層脫粘；以及

通過蝕刻操作從所述絕緣層暴露所述導電接觸件，其中，在所述淺溝槽中形成所述導電接觸件還包括形成用于電鍍操作的晶種層，

其中，所述再分布層中的第一金屬線的一部分與所述導電接觸件縱向上重疊，所述第一金屬線的另一部分與所述第一半導體管芯層的有源表面縱向上重疊。

10.一種用于制造半導體封裝件的方法，包括：

提供載體；

在所述載體上方形成第一半導體管芯層，包括：

在所述載體上方形成第一聚合物層；

在所述第一聚合物層中形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中形成導電接觸件；和

在所述第一聚合物層上方放置第一半導體管芯；

將所述載體從所述第一聚合物層脫粘；以及

通過蝕刻操作從所述第一聚合物層暴露所述導電接觸件，其中，在所述淺溝槽中形成所述導電接觸件還包括形成用于電鍍操作的晶種層，

其中，所述第一聚合物層和所述導電接觸件是第一再分布層(RDL)的部分，

所述導電接觸件與所述聚合物層的有源表面位于所述第一半導體管芯層的同一側，并且所述導電接觸件與所述有源表面在縱向上重疊。