[發明專利]基板處理系統及裝置、切換定時制作輔助裝置及方法

在審

• 申請號: 202110191901.3
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN113327849A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 秋元健司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理系統及裝置、切換定時制作輔助裝置及方法，可提高處理的切換定時的精度。基板處理系統具備基板處理裝置和具備獲取部、選定部、決定部以及輸出部的切換定時制作輔助裝置。使基板處理裝置基于制程來執行對基板的處理，獲取部從在處理的執行期間針對基板處理裝置內的氣體中包含的包括原子和分子的粒子的每個性質測定氣體中包含的粒子的量的測定器獲取粒子的量的測定值。選定部在粒子的性質之中按照粒子的量的隨時間的變化量從大到小的順序選定預先確定的數量的粒子的性質。決定部基于選定出的粒子的每個性質的粒子的量的隨時間的變化，來決定用于判定切換定時的運算式和切換條件。輸出部向基板處理裝置輸出運算式和切換條件。

技術領域

本公開的各種方面和實施方式涉及一種基板處理系統、切換定時制作輔助裝置、切換定時制作輔助方法以及基板處理裝置。

背景技術

在半導體裝置的制造工序中，對基板進行成膜、蝕刻等各種處理。另外，在具有多層膜的基板的蝕刻中，有時針對每層膜的蝕刻氣體、壓力等處理條件不同。因此，在某層的蝕刻結束了的情況下，需要切換處理條件來對其下層的膜進行蝕刻。但是，在對基板進行處理的期間，難以確認基板的狀態。因此，根據收容有基板的腔室內的氣體的成分的變化來估計蝕刻的進展程度，進行處理條件的切換。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平7-50289號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠提高處理的切換定時的精度的基板處理系統、切換定時制作輔助裝置、切換定時制作輔助方法以及基板處理裝置。

用于解決問題的方案

本公開的一個方面是一種基板處理系統，具備：基板處理裝置，其基于記述有多個處理的各處理的處理條件的制程來執行基板的處理；以及切換定時制作輔助裝置，其輔助制作針對基板進行的處理的切換定時。切換定時制作輔助裝置具備獲取部、選定部、決定部以及輸出部。基板處理裝置基于制程來執行對基板的處理，獲取部從在處理的執行期間針對基板處理裝置內的氣體中包含的包括原子和分子的粒子的每個性質測定氣體中包含的粒子的量的測定器獲取粒子的量的測定值。選定部在粒子的性質之中按照粒子的量的隨時間的變化量從大到小的順序選定預先確定的數量的粒子的性質。決定部基于選定出的粒子的每個性質的粒子的量的隨時間的變化，來決定用于判定切換定時的運算式和切換條件。輸出部向基板處理裝置輸出運算式和切換條件。基板處理裝置具有執行部、計算部以及指示部。執行部基于制程來執行對基板的處理。計算部基于由測定器針對運算式中包括的粒子的每個性質測定出的粒子的量來計算運算式的值。指示部在運算式的值滿足切換條件的情況下向執行部指示處理的切換。

發明的效果

根據本公開的各種方面和實施方式，能夠提高處理的切換定時的精度。

附圖說明

圖1是表示本公開的一個實施方式中的基板處理系統的一例的系統結構圖。

圖2是表示第一實施方式中的基板處理裝置的一例的概要截面圖。

圖3是表示控制裝置的功能結構的一例的框圖。

圖4是表示第一實施方式中的測定器的一例的框圖。

圖5是表示輔助裝置的功能結構的一例的框圖。

圖6是表示第一實施方式中的輔助裝置的處理的一例的流程圖。

圖7A是表示蝕刻前的基板W的一例的截面圖。