[發明專利]基板處理系統及裝置、切換定時制作輔助裝置及方法在審
| 申請號: | 202110191901.3 | 申請日: | 2021-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN113327849A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 秋元健司 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 系統 裝置 切換 定時 制作 輔助 方法 | ||
1.一種基板處理系統,具備:
基板處理裝置,其基于記述有多個處理的各處理的處理條件的制程來執行對基板的處理;以及
切換定時制作輔助裝置,其輔助制作針對所述基板進行的所述處理的切換定時,
其中,所述切換定時制作輔助裝置具有:
獲取部,所述基板處理裝置基于所述制程來執行對所述基板的處理,所述獲取部從在所述處理的執行期間針對所述基板處理裝置內的氣體中包含的包括原子和分子的粒子的每個性質測定所述氣體中包含的所述粒子的量的測定器獲取所述粒子的量的測定值;
選定部,其在所述粒子的性質之中按照所述粒子的量的隨時間的變化量從大到小的順序選定預先確定的數量的所述粒子的性質;
決定部,其基于選定出的所述粒子的每個性質的所述粒子的量的隨時間的變化,來決定用于判定所述切換定時的運算式和切換條件;以及
輸出部,其向所述基板處理裝置輸出所述運算式和所述切換條件,
并且,所述基板處理裝置具有:
執行部,其基于所述制程來執行對所述基板的處理;
計算部,其基于由所述測定器針對所述運算式中包括的所述粒子的每個性質測定出的所述粒子的量來計算所述運算式的值;以及
指示部,在所述運算式的值滿足所述切換條件的情況下,所述指示部向所述執行部指示處理條件的切換。
2.根據權利要求1所述的基板處理系統,其特征在于,
所述切換定時制作輔助裝置具有:
接受部,其接受作為處理對象的膜的種類和所述處理中使用的氣體的種類;以及
確定部,其參照與膜或氣體的種類相對應地保存有在使用該膜或氣體進行的處理中產生的粒子的種類的數據庫,來確定在對所述接受部接受到的種類的所述膜進行了處理的情況下所述基板處理裝置內的氣體中包含的粒子的性質、以及與所述接受部接受到的種類對應的所述氣體中包含的所述粒子的性質,
所述獲取部針對由所述確定部確定出的所述粒子的每個性質,從所述測定器獲取所述基板處理裝置內的氣體中包含的所述粒子的量的測定值。
3.根據權利要求2所述的基板處理系統,其特征在于,
所述基板處理裝置的所述執行部執行作為對所述基板的處理的、使用了等離子體的蝕刻,
所述作為處理對象的膜為作為蝕刻處理的對象的膜,
所述處理中使用的氣體為蝕刻氣體。
4.根據權利要求2或3所述的基板處理系統,其特征在于,
所述粒子的性質為通過所述粒子的發光而被觀測到的光的波長,
所述確定部參照數據庫來確定通過在對所述接受部接受到的種類的所述膜進行了處理的情況下產生的所述粒子的發光而被觀測到的光的波長、以及通過與所述接受部接受到的種類對應的所述氣體中包含的所述粒子的發光而被觀測到的光的波長,
所述獲取部針對由所述確定部確定出的通過所述粒子的發光而被觀測到的光的每個波長,從所述測定器獲取通過所述粒子的發光而被觀測到的發光強度的測定值,來作為所述基板處理裝置內的氣體中包含的所述粒子的量的測定值,
所述選定部在被測定了發光強度的波長之中按照發光強度的隨時間的變化量從大到小的順序選定預先確定的數量的所述波長,
所述決定部基于選定出的每個所述波長的發光強度的隨時間的變化,來決定用于判定所述切換定時的所述運算式和所述切換條件,
所述計算部基于針對所述運算式中包括的每個所述波長測定出的發光強度來計算所述運算式的值。
5.根據權利要求4所述的基板處理系統,其特征在于,
所述接受部還接受監視數量,所述監視數量表示通過作為監視對象的所述粒子的發光而被觀測到的光的波長的數量,
所述選定部在被測定了發光強度的波長之中按照發光強度的隨時間的變化量從大到小的順序選定所述接受部接受到的所述監視數量的所述波長。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





