[發(fā)明專利]一種芯片外延層結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

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• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN112820805A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張帆;吳永勝;林少軍
• 申請（專利權(quán)）人: 福建兆元光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214
• 代理人: 段惠存

本發(fā)明提供了一種芯片外延層結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括襯底層、下層外延層、上層外延層及刻蝕緩沖層；所述下層外延層位于所述襯底層一端，所述下層外延層遠(yuǎn)離所述襯底層的一端設(shè)置有所述刻蝕緩沖層，所述刻蝕緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底層的一端設(shè)置有所述上層外延層；所述刻蝕緩沖層的刻蝕速率低于所述上層外延層的刻蝕速率；在上層外延層和下層外延層之間加入刻蝕緩沖層，且刻蝕緩沖層的刻蝕速率小于上層外延層，即在對上層外延層進(jìn)行刻蝕的過程中，刻蝕緩沖層的磨損速度低于上層外延層，從而在對上層外延層的刻蝕過程中起到對下層外延層的保護(hù)作用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片外延層結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

全彩色Micro LED需要RGB(紅綠藍(lán))三種顏色的光源，在現(xiàn)有技術(shù)中，通常使用同時具備藍(lán)綠光源的LED再組合以其他手段就可以實現(xiàn)在一顆LED芯片上，同時存在RGB三種顏色的可能性，不用分別生產(chǎn)多種LED芯片；而制備同時具備藍(lán)綠光源的LED需要生長藍(lán)綠雙色外延，目前藍(lán)綠雙色外延需要在一片襯底上分別生長藍(lán)色外延層及綠色外延層，再通過刻蝕技術(shù)在藍(lán)色外延層層和綠色外延層上分別制作出電極接口，因現(xiàn)有的刻蝕工藝在深度上是不能精確控制的，因此必然會傷害到外延層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種芯片外延層結(jié)構(gòu)及其制造方法，實現(xiàn)刻蝕損傷程度低的芯片外延層結(jié)構(gòu)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一種技術(shù)方案為：

一種芯片外延層結(jié)構(gòu)，包括襯底層、下層外延層、上層外延層及刻蝕緩沖層；

所述下層外延層位于所述襯底層一端，所述下層外延層遠(yuǎn)離所述襯底層的一端設(shè)置有所述刻蝕緩沖層，所述刻蝕緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底層的一端設(shè)置有所述上層外延層；

所述刻蝕緩沖層的刻蝕速率低于所述上層外延層的刻蝕速率。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案為：

一種芯片外延層制造方法，可制造上述的一種芯片外延層結(jié)構(gòu)，包括步驟：

S1、在襯底層上生長下層外延層；

S2、在所述下層外延層上生長初始刻蝕緩沖層；

S3、在所述初始刻蝕緩沖層上刻蝕出刻蝕孔得到刻蝕緩沖層；

S4、在所述刻蝕緩沖層上生長上層外延層。

本發(fā)明的有益效果在于：在上層外延層和下層外延層之間加入刻蝕緩沖層，且刻蝕緩沖層的刻蝕速率小于上層外延層，即在對上層外延層進(jìn)行刻蝕的過程中，刻蝕緩沖層的磨損速度低于上層外延層，從而在對上層外延層的刻蝕過程中起到對下層外延層的保護(hù)作用，即使刻蝕操作的精度低，也只會損傷到刻蝕緩沖層而不會損傷到下層外延層，保證了LED芯片的顯色效果，上層外延層和下層外延層可設(shè)置不同的顏色，實現(xiàn)高質(zhì)量的LED雙色芯片外延結(jié)構(gòu)的制造。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的一種芯片外延層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例的一種刻蝕緩沖層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的一種芯片外延層制造方法；

標(biāo)號說明：

1、襯底層；2、第一N型氮化鎵層；3、第一多層量子阱層；4、第一P型氮化鎵層；5、刻蝕緩沖層；6、第二N型氮化鎵層；7、第二多層量子阱層；8、第二P型氮化鎵層。

具體實施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖予以說明。

請參照圖1和圖2，一種芯片外延層結(jié)構(gòu)，包括襯底層、下層外延層、上層外延層及刻蝕緩沖層；