[發明專利]一種芯片外延層結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202110191780.2 | 申請日： | 2021-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN112820805A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 張帆;吳永勝;林少軍 | 申請（專利權）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 段惠存 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 外延 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種芯片外延層結構，其特征在于，包括襯底層、下層外延層、上層外延層及刻蝕緩沖層；
所述下層外延層位于所述襯底層一端，所述下層外延層遠離所述襯底層的一端設置有所述刻蝕緩沖層，所述刻蝕緩沖層遠離所述襯底層的一端設置有所述上層外延層；
所述刻蝕緩沖層的刻蝕速率低于所述上層外延層的刻蝕速率。
2.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述下層外延層包括第一N型氮化鎵層、第一多層量子阱層及第一P型氮化鎵層；
所述第一N型氮化鎵層、所述第一多層量子阱層及所述第一P型氮化鎵層自靠近所述襯底層一端至遠離所述襯底層一端依次排布。
3.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述上層外延層包括第二N型氮化鎵層、第二多層量子阱層及第二P型氮化鎵層；
所述第二N型氮化鎵層、所述第二多層量子阱層及所述第二P型氮化鎵層自靠近所述襯底層一端至遠離所述襯底層一端依次排布。
4.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述刻蝕緩沖層上設置有刻蝕孔，所述刻蝕孔的深度小于所述刻蝕緩沖層的厚度。
5.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述刻蝕緩沖層的厚度為2000-20000埃。
6.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述下層外延層為波長520納米的綠光發光膜層；
所述上層外延層為波長460納米的藍光發光膜層。
7.根據權利要求4所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述刻蝕孔的深度為2000-20000埃，所述刻蝕孔的直徑為1-10微米；
所述刻蝕緩沖層上設置有多個順序排列的所述刻蝕孔。
8.根據權利要求1所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，所述刻蝕緩沖層為Si02或Si2N4。
9.一種芯片外延層制造方法，可制造權利要求1-8任一所述的一種芯片外延層結構，其特征在于，包括步驟：
S1、在襯底層上生長下層外延層；
S2、在所述下層外延層上生長初始刻蝕緩沖層；
S3、在所述初始刻蝕緩沖層上刻蝕出刻蝕孔得到刻蝕緩沖層；
S4、在所述刻蝕緩沖層上生長上層外延層。
10.根據權利要求9所述的一種芯片外延層制造方法，其特征在于，所述S4之后還包括：
S5、根據預設的芯片圖紙刻蝕所述上層外延層，直至接觸到所述刻蝕緩沖層；
S6、通過濕法腐蝕去除暴露的所述刻蝕緩沖層。
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