[發明專利]igbt模塊裝配工藝和電子器件

有效

• 申請號: 202110191640.5
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN112996273B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 黃海宇;馬慶華;李幫家;王莉;魏平;徐俊杰
• 申請（專利權）人: 杭州得誠電力科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/30
• 分類號: H05K3/30;H01L23/373;H01L23/367
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

一種igbt模塊裝配工藝和電子器件，igbt模塊裝配工藝包括：將設有多個igbt模塊的電路板裝配至設有導熱硅脂層的散熱板上，且多個igbt模塊與導熱硅脂層相對，以使多個igbt模塊工作過程中產生的熱量通過導熱硅脂傳遞至散熱板。直接將導熱硅脂層設于散熱板上，不需要多次重復在每個igbt模塊上設置導熱硅脂層，降低難度，便于導熱硅脂層的設置，操作更加方便快捷，提高作業效率，且導熱硅脂層的厚度均勻，一致性好。同時，導熱硅脂層與igbt模塊的接觸良好，散熱性好。

技術領域

本發明涉及電子產品領域，具體而言，涉及一種igbt模塊裝配工藝和電子器件。

背景技術

目前，在igbt、電路板和散熱板裝配過程中，為了使igbt作業過程中產生的熱量能夠及時有效地傳遞至散熱板，通過散熱板進行散熱，保證igbt和電路板的穩定性和作業性能，需要在igbt和散熱板之間設置硅脂層。

經發明人研究發現，現有的igbt與散熱板之間設置硅脂層的操作工藝存在如下缺點：

Igbt工作過程中產生的熱量不易通過導熱硅脂層傳遞至散熱板。

發明內容

本發明的目的在于提供一種igbt(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管)模塊裝配工藝和igbt模塊，其能夠提高導熱效率，使得igbt工作過程中產生的熱量能夠有效地通過導熱硅脂傳遞至散熱板，從而通過散熱板將熱量有效散發。

本發明的實施例是這樣實現的：

第一方面，本發明提供一種igbt模塊裝配工藝，包括：

將設有多個igbt模塊的電路板裝配至設有導熱硅脂層的散熱板上，且多個igbt模塊與導熱硅脂層相對，以使多個igbt模塊工作過程中產生的熱量通過導熱硅脂傳遞至散熱板。

在可選的實施方式中，將設有多個igbt模塊的電路板裝配至設有導熱硅脂層的散熱板上的步驟之前還包括：

在散熱板上涂敷導熱硅脂以形成導熱硅脂層。

在可選的實施方式中，在散熱板上涂敷導熱硅脂以形成導熱硅脂層的步驟包括：

將具有通孔的定位件貼合于散熱板上，將導熱硅脂填充在通孔中以在散熱板上形成導熱硅脂層。

在可選的實施方式中，將導熱硅脂填充在通孔中以在散熱板上形成導熱硅脂層的步驟包括：

在定位件遠離散熱板的一側涂刷導熱硅脂。

在可選的實施方式中，在定位件遠離散熱板的一側涂刷導熱硅脂的步驟之后還包括：

刮平導熱硅脂層遠離散熱板的一側。

在可選的實施方式中，在散熱板上涂敷導熱硅脂以形成導熱硅脂層的步驟包括：

在散熱板同一板面上的不同位置涂覆導熱硅脂以形成間隔排布的多個導熱硅脂層。

在可選的實施方式中，將設有多個igbt模塊的電路板裝配至設有導熱硅脂層的散熱板上的步驟包括：

預定位igbt模塊與電路板，將電路板固定于散熱板上，調節igbt模塊使其與導熱硅脂層貼合，并在igbt模塊與導熱硅脂層貼合后固定igbt模塊與電路板。

在可選的實施方式中，預定位igbt模塊與電路板的步驟包括：

在電路板上螺接預定位用導向螺釘，導向螺釘用于引導igbt模塊相對于電路板沿導向螺釘的延伸方向滑動。

在可選的實施方式中，在將相連的igbt模塊和電路板裝配至設有導熱硅脂層的散熱板上的步驟之前還包括：

將散熱板固定于夾具上。