[發(fā)明專利]igbt模塊裝配工藝和電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110191640.5
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN112996273B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃海宇;馬慶華;李幫家;王莉;魏平;徐俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州得誠電力科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/30
• 分類號: H05K3/30;H01L23/373;H01L23/367
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種igbt模塊裝配工藝，其特征在于，包括：

預(yù)定位多個igbt模塊與電路板，將所述電路板固定于設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層的散熱板上，調(diào)節(jié)所述igbt模塊使其與所述導(dǎo)熱硅脂層貼合，并在所述igbt模塊與所述導(dǎo)熱硅脂層貼合后固定所述igbt模塊與所述電路板，且所述多個igbt模塊與所述導(dǎo)熱硅脂層相對，以使所述多個igbt模塊工作過程中產(chǎn)生的熱量通過所述導(dǎo)熱硅脂傳遞至所述散熱板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

所述將設(shè)有多個igbt模塊的電路板裝配至設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層的散熱板上的步驟之前還包括：

在所述散熱板上涂敷導(dǎo)熱硅脂以形成所述導(dǎo)熱硅脂層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

所述在所述散熱板上涂敷導(dǎo)熱硅脂以形成所述導(dǎo)熱硅脂層的步驟包括：

將具有通孔的定位件貼合于所述散熱板上，將導(dǎo)熱硅脂填充在所述通孔中以在所述散熱板上形成導(dǎo)熱硅脂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

所述將導(dǎo)熱硅脂填充在所述通孔中以在所述散熱板上形成導(dǎo)熱硅脂層的步驟包括：

在所述定位件遠離所述散熱板的一側(cè)涂刷導(dǎo)熱硅脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

在所述定位件遠離所述散熱板的一側(cè)涂刷導(dǎo)熱硅脂的步驟之后還包括：

刮平所述導(dǎo)熱硅脂層遠離所述散熱板的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

所述在所述散熱板上涂敷導(dǎo)熱硅脂以形成所述導(dǎo)熱硅脂層的步驟包括：

在所述散熱板同一板面上的不同位置涂覆導(dǎo)熱硅脂以形成間隔排布的多個導(dǎo)熱硅脂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

所述預(yù)定位所述igbt模塊與所述電路板的步驟包括：

在所述電路板上螺接預(yù)定位用導(dǎo)向螺釘，所述導(dǎo)向螺釘用于引導(dǎo)所述igbt模塊相對于所述電路板沿所述導(dǎo)向螺釘?shù)难由旆较蚧瑒印?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的igbt模塊裝配工藝，其特征在于：

在將相連的igbt模塊和電路板裝配至設(shè)有導(dǎo)熱硅脂層的散熱板上的步驟之前還包括：

將所述散熱板固定于夾具上。

9.一種電子器件，其特征在于，所述電子器件采用權(quán)利要求1-8中任一項所述的igbt模塊裝配工藝制作而成。