[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110191543.6
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN113410241A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 西村貴仁;西川拓也;淺井志保子
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

一種根據實施例的半導體存儲器裝置包含襯底、第一構件、第一導電層與第一柱及第二柱。所述襯底包含第一區域及第二區域與塊區域。所述第一導電層被所述第一構件分割。所述第一柱被提供在其中所述第一區域與所述塊區域重疊的區域中。所述第二柱被提供在其中所述第二區域與所述塊區域重疊的區域中。所述第二區域包含其中所述第二柱周期性地布置在與所述塊區域中的至少一個塊區域重疊的區域中的第一子區域。在所述第一子區域中，從周期性地布置的所述第二柱省略至少一個第二柱。

相關申請案的交叉參考

本申請案基于且主張2020年3月16日申請的第2020-44896號日本專利申請案的優先權的權益，所述申請案的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本文中所描述的實施例大體上涉及半導體存儲器裝置。

背景技術

已知能夠以非易失性方式存儲數據的NAND型快閃存儲器。

發明內容

一般來說，根據一個實施例，一種半導體存儲器裝置包含襯底、多個第一構件、多個第一導電層、多個第一柱及多個第二柱。所述襯底包含第一區域、第二區域及多個塊區域。所述第一區域及所述第二區域沿第一方向布置。所述塊區域被提供為沿所述第一方向延伸。所述塊區域沿與所述第一方向相交的第二方向布置。所述多個第一構件被提供為沿所述第一方向延伸。所述第一構件中的每一者經布置在所述塊區域之間的邊界部分處。所述多個第一導電層沿與所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向布置且被提供為彼此分離。所述第一導電層被所述第一構件分割。所述多個第一柱被提供在其中所述第一區域與所述塊區域重疊的區域中，以沿所述第三方向穿透所述第一導電層。所述多個第二柱被提供在其中所述第二區域與所述塊區域重疊的區域中，以沿所述第三方向穿透所述第一導電層。所述第二區域包含其中所述第二柱周期性地布置在與所述塊區域中的至少一個塊區域重疊的區域中的第一子區域。在所述第一子區域中，從周期性地布置的所述第二柱省略至少一個第二柱。

根據所述實施例，其能夠提高所述半導體存儲器裝置的成品率。

附圖說明

圖1是展示根據實施例的半導體存儲器裝置的總體配置的實例的框圖。

圖2是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的電路配置的實例的電路圖。

圖3是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的平面布局的實例的平面視圖。

圖4是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列中的存儲器區域的詳細平面布局的實例的平面視圖。

圖5是沿著圖4的線V-V截取的橫截面視圖，其展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的存儲器區域的橫截面結構的實例。

圖6是沿著圖5的線VI-VI截取的橫截面視圖，其展示根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器柱的橫截面結構的實例。

圖7是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的連接(hookup)區域的平面布局的實例的平面視圖。

圖8是沿著圖7的線VIII-VIII截取的橫截面視圖，其展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的連接區域的橫截面結構的實例。

圖9是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的接觸區域的平面布局的實例的平面視圖。

圖10是展示被包含在根據所述實施例的半導體存儲器裝置中的存儲器單元陣列的接觸區域的橫截面結構的實例的橫截面視圖。