[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110191543.6
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN113410241A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 西村貴仁;西川拓也;淺井志保子
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體存儲器裝置，其包括：

襯底，其包含第一區域、第二區域及多個塊區域，所述第一區域及所述第二區域沿第一方向布置，所述塊區域被提供為沿所述第一方向延伸，且所述塊區域沿與所述第一方向相交的第二方向布置；

多個第一構件，其被提供為沿所述第一方向延伸，所述第一構件中的每一者經布置在所述塊區域之間的邊界部分處；

多個第一導電層，其沿與所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向布置且被提供為彼此分離，所述第一導電層被所述第一構件分割；

多個第一柱，其被提供在其中所述第一區域與所述塊區域重疊的區域中，以沿所述第三方向穿透所述第一導電層；及

多個第二柱，其被提供在其中所述第二區域與所述塊區域重疊的區域中，以沿所述第三方向穿透所述第一導電層，其中

所述第二區域包含其中所述第二柱周期性地布置在與所述塊區域中的至少一個塊區域重疊的區域中的第一子區域，且

在所述第一子區域中，從周期性地布置的所述第二柱省略至少一個第二柱。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第二區域包含其中在分別與所述塊區域重疊的區域中的每一者中省略至少一個第二柱的所述第一子區域。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第一子區域包含布置在多邊形形狀的相應頂點處的所述第二柱，且

在被布置在相應頂點處的所述第二柱包圍的區域中省略一個第二柱。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第一子區域包含布置在六邊形形狀的相應頂點處的六個第二柱，且

在被布置在相應頂點處的所述六個第二柱包圍的區域中省略一個第二柱。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第一子區域包含布置在多邊形形狀的相應頂點處的所述第二柱，且

在被布置在相應頂點處的所述第二柱包圍的區域中省略兩個連續第二柱。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

其中所述第二區域與所述塊區域中的至少一個塊區域重疊的區域包含與所述第一子區域不同的第二子區域，

所述第二子區域包含第二構件、第三構件、多個絕緣層及第一接觸件，所述第二構件及所述第三構件沿所述第二方向布置以與所述第一構件分離，所述第二構件及所述第三構件中的每一者包含沿所述第一方向延伸的一部分，所述絕緣層沿所述第二方向布置在所述第二構件與所述第三構件之間，所述絕緣層被提供在與所述第一導電層的高度相同的高度處，且所述第一接觸件被提供為沿所述第三方向穿透所述絕緣層，且

所述第二構件及所述第三構件中的每一者在所述第一導電層與所述絕緣層之間沿所述第三方向延伸。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中

從其省略所述至少一個第二柱的一部分鄰近于所述第二構件。

8.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中

所述第一接觸件用于耦合所述襯底與所述第一導電層之間的互連件及所述第一導電層上方的互連件。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中

所述襯底進一步包含沿所述第二方向鄰近于所述塊區域的虛擬塊區域，

所述第一區域在與所述虛擬塊區域重疊的區域中包含其中周期性地布置含有與所述第二柱的材料相同的材料的多個相同材料柱的第三子區域，且

在所述第三子區域中，從周期性地布置的所述相同材料柱省略至少一個相同材料柱。